[发明专利]反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路及电器

说明书

本发明公开了反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路及电器，包括高频变压器，吸收电路、次级输出电路、辅助供电电路、驱动电路和可控硅；所述辅助供电电路连接在所述高频变压器，且所述辅助供电电路两端接入交流相线输入和模拟地；所述驱动电路的输出端连接可控硅的G极，用于控制可控硅的导通，当反激电源启动时，所述辅助供电电路上具有持续的直流电输出；当所述驱动电路导通时，所述可控硅内具有所述辅助供电电路提供的直流电输入,本发明目的在于提供一种反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路，在电路中增加以辅助供电电路，可直接为可控硅导通提供触发电流，减小可控硅导通时的瞬时电流或瞬时电压，利于EMC测试的通过。

技术领域

本发明涉及反激电源和可控硅驱动应用技术领域，尤其涉及一种反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路及电器。

背景技术

随着科技的进步，社会的发展，人们对大功率产品的需求也越来越多，且人们对产品质量认证也越来越严格，特别是在EMC测试方面。在目前，大多数有隔离要求且需要频繁地控制大功率负载开关的产品一般都会采用以下技术：

一般是通过采用反激拓扑结构的开关电源作为电源，可控硅和双向光耦作为控制器件。可控硅隔离控制电路是将可控硅的T2极、G极、限流电阻和双向光耦的输出端串联起来，再把直流低压电、限流电阻、双向光耦输入端和主控芯片的控制脚串联起来，通过控制主控芯片的控制较的高低电平来控制双向光耦输出端的导通与截止，让交流市电进而控制可控硅的导通与截止，使可控硅工作在第一象限和第三象限。

但由于双向可控硅的触发电流和限流电阻与双向光耦导通电压等原因的存在，每次双向可控硅导通的瞬间都会存在较大的瞬时电压和瞬时电流，即 dv/dt和di/dt，特别是双向可控硅控制大功率器件；而且交流市电输入每次经过零点后，都需要等双向可控硅T2极和G极两端电压达到一定程度才能有足够的触发电流使双向可控硅导通，使得产品在EMC测试中难以通过。

针对上述问题，需要对可控硅隔离控制大功率负载的电路设计进行改进。

发明内容

本发明目的在于提供一种利用可控硅隔离控制大功率负载的电路，在电路中增加以辅助供电电路，可直接为可控硅导通提供触发电流，减小可控硅导通时的瞬时电流或瞬时电压，利于EMC测试的通过。

为了达到上述目的，本发明的技术方案有：

一种利用可控硅隔离控制大功率负载的电路，包括高频变压器，与高频变压器通过管脚连接的吸收电路和次级输出电路，所述吸收电路上具有高压电源输入；还包括辅助供电电路、驱动电路和可控硅；所述辅助供电电路连接在所述高频变压器的管脚上，且所述辅助供电电路两端接入交流相线输入和模拟地；所述驱动电路的输出端连接可控硅的控制极，用于控制可控硅的导通，所述可控硅的T1极接入所述交流相线输入，所述可控硅的T2极作为所述可控硅的输出端；

其中，当反激电源启动时，所述辅助供电电路上具有持续的直流电输出；当所述驱动电路导通时，所述可控硅内具有所述辅助供电电路提供的直流电输入。