[发明专利]一种双面双玻半片高效组件的制作方法有效
申请号: | 202010536180.0 | 申请日: | 2020-06-12 |
公开(公告)号: | CN111640811B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 申燕;赵兵;冯仁君;王华伟;刘振鹏;方威;王平;王彦雷;廉佳林;高杨;何玲玲;刘俊芳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安赛拉弗光伏系统有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 太原弘科专利代理事务所(普通合伙) 14118 | 代理人: | 张筱莉 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 双玻半片 高效 组件 制作方法 | ||
本发明公开了一种双面双玻半片高效组件的制作方法,包括以下步骤:激光划片、自动串焊、前玻准备、自动排版、自动叠焊、背玻铺设、前GP测试、封边、层压、削边、后GP测试、装框、安装接线盒、固化、测试、检验及包装入库。本发明解决了现有常规组件输出功率低的问题。本发明在非常规光伏组件的制作中,首次提出一种双面双玻半片高效组件的制作方法,特别是明确了生产该类型组件时所选取的特殊材料、异与常规的制作流程及各环节重点注意的事项。
技术领域
本发明属于一种非常规光伏组件的制作方法,特别涉及一种双面双玻半片高效组件的制作方法。
背景技术
近年来,随着石油价格上涨及全球气候的变化,可再生能源日益受到国际社会的重视。其中,光伏产业在世界各种能源增长率中名列第一。光伏组件,作为光伏产业的终端输出,对其外观、性能的不断优化,进而实现量产,已成为光伏界共同追求的目标。
目前,行业内常规光伏组件的生产,已成熟、稳定。然而,非常规高效光伏组件的量产,基本处于空白。为进一步扩大电池高转化效率带来的组件功率提升的优势,将双面PERC电池与高效双玻组件技术结合是目前各大厂商升级PERC电池组件的重要方向。在提高组件输出功率的技术路径中,半片电池组件无疑是易于实现大规模量产和具备高性价比的高效产品。
发明内容
为了克服现有技术在非常规高效光伏组件制作方法空白的缺陷,本发明提供了一种双面双玻半片高效组件的制作方法。
本发明为了实现上述目的所采用的技术方案是:
一种双面双玻半片高效组件的制作方法,包括以下步骤:a.激光划片:利用激光划片机将双面单晶电池片一分为二;b.自动串焊:利用自动串焊机将半片电池片串焊,每串10片,共焊接12串;c.前玻准备:自动上前玻璃后,自动覆盖EVA或POE;d.自动排版:利用自动排版机,将焊接好的半片电池串,按照头部左正右负的顺序进行排版;e.自动叠焊:电池串排好后,利用自动叠焊机,将汇流带和头焊带、尾焊带、中间焊带进行焊接并用高温胶带自动粘贴定位;f.背玻铺设:利用自动铺设机,在EVA/POE相应位置,钻三个孔,孔位置与背玻孔位完全一致,裁切开孔后的EVA/POE,自动铺设在电池片上,中间汇流带立起的两头,正好穿过EVA/POE的三个孔位,背玻自动降落,覆盖在EVA/POE上,中间汇流带穿过背玻的三个孔位;g.前GP测试:层压前对组件进行外观及EL测试;h.封边:层压前用封边机及六孔胶带对组件进行封边;i.层压:将封边后的组件放置于层压机进行层压;j.削边:层压后组件进行削边;k.后GP测试:层压后对组件进行外观及EL测试;l.装框:GP测试后对层压件进行装框;m.安装接线盒:利用接线盒焊接机将接线盒和引出线进行焊接,确保两个半片组件的正极、负极进行有效并联,利用自动灌胶机对线盒进行AB胶灌胶,同时用胶枪在三组汇流带中间,将汇流带立起,将打好胶的接线盒粘贴在相应位置;n.固化:进行常规固化;o.测试:采用双面双玻半片标准组件进行校准后,进行功率测试;p.检验:参照双面双玻半片标准进行检验;q.包装入库。
进一步地,所述激光划片方向与主栅线方向垂直,勿平行于主栅线切割。
根据不同需求,注意调试好片间距及头尾、中间焊带留长,通常所述电池片间距为2±0.5mm,头尾焊带留长为10±0.5mm,中间焊带留长为19±0.5mm。
进一步地,所述步骤e中电池串与电池串之间或电池串的头、中、尾部增加用于避免层压后间距不良的EVA/POE小块或小条进行铺垫;中间汇流带立起的两头用手工捏在一起。
进一步地,所述步骤f中在背玻铺设时,四角通过用于避免玻璃滑动的六孔胶带粘住,孔位处通过用于避免溢胶的光滑纸块进行铺垫。步骤f中还可根据订单要求,在组件内部正确粘贴条码位置;根据工艺要求,可在适当位置增加EVA/POE小块或小条进行铺垫;中间汇流带立起的两头,要手工捏在一起。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的