[发明专利]曝光方法、掩膜板组件、显示基板及制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种曝光方法，其特征在于，包括：

采用第一掩膜板对衬底基板上的第一曝光区域和第二曝光区域处的感光材料进行曝光；所述第一掩膜板包括依次设置的第一掩膜区域、第一半透光区域和第一遮光区域，在曝光时所述第一掩膜区域在所述衬底基板上的正投影与所述第一曝光区域重合，且在曝光时所述第一半透光区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二曝光区域重合；

将所述第一掩膜板更换为第二掩膜板；所述第二掩膜板包括依次设置的第二遮光区域、第二半透光区域和第二掩膜区域；

控制所述第二掩膜板相对于所述衬底基板朝向目标方向移动，使得所述第二半透光区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二曝光区域重合；

采用所述第二掩膜板对所述衬底基板上的所述第二曝光区域和第三曝光区域处的感应材料进行曝光；在曝光时所述第二掩膜区域在所述衬底基板上的正投影与所述第三曝光区域重合，且所述第三曝光区域与所述第一曝光区域不重合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标方向为所述衬底基板的行方向或列方向。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述目标方向上，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的尺寸大于或小于所述衬底基板的尺寸；在所述目标方向的垂直方向上，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板的尺寸等于所述衬底基板的尺寸。

4.一种掩膜板组件，其特征在于，包括第一掩膜板和第二掩膜板；

所述第一掩膜板包括依次设置的第一掩膜区域、第一半透光区域和第一遮光区域；

所述第二掩膜板包括依次设置的第二遮光区域、第二半透光区域和第二掩膜区域；

所述第一掩膜板，被配置为对衬底基板上的第一曝光区域和第二曝光区域处的感光材料进行曝光；在曝光时所述第一掩膜区域在所述衬底基板上的正投影与所述第一曝光区域重合，且在曝光时所述第一半透光区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二曝光区域重合；

所述第二掩膜板，被配置为在相对于所述衬底基板朝向目标方向移动之后，对所述衬底基板上的所述第二曝光区域和第三曝光区域处的感应材料进行曝光；在曝光时所述第二半透光区域在所述衬底基板上的正投影与所述第二曝光区域重合，且在曝光时所述第二掩膜区域在所述衬底基板上的正投影与所述第三曝光区域重合，所述第三曝光区域与所述第一曝光区域不重合。

5.根据权利要求4所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一掩膜区域包括第一透光子区域和第一非透光子区域，所述第一半透光区域的透光率小于所述第一透光子区域的透光率；

所述第二掩膜区域包括第二透光子区域和第二非透光子区域，所述第二半透光区域的透光率小于所述第二透光子区域的透光率；

其中，所述第一半透光区域和所述第二半透光区域的透光率之和，与所述第一透光子区域和所述第二透光子区域的透光率相等。

6.根据权利要求4所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一半透光区域和所述第二半透光区域处的材料为氧化铬。

7.根据权利要求4所述的掩膜板组件，其特征在于，所述第一半透光区域和所述第二半透光区域在所述目标方向上的尺寸大于3μm，且小于所述目标方向上的像素尺寸。

8.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成待刻蚀薄膜；

在所述待刻蚀薄膜上涂覆感光材料；

采用如权利要求1至3中任一项所述的曝光方法对所述感光材料进行曝光；

对曝光后的所述感光材料进行显影，得到感光材料去除区域和感光材料保留区域；

对所述感光材料去除区域处的待刻蚀薄膜进行刻蚀，以在所述衬底基板上形成目标膜层。

9.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求8所述的显示基板的制作方法制作得到。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示基板。