[发明专利]一种铜及其合金晶粒尺寸的高通量检测方法

权利要求书

1.一种铜及其合金晶粒尺寸的高通量检测方法，其特征在于，步骤如下：

1)在未知晶粒尺寸的工件待测点上放置内孔尺寸为2mm的遮光孔或透光管；

2)采用X射线衍射装置，测定待测点的德拜衍射斑图谱；

3)当出现衍射斑点，德拜环不可见时，晶粒尺寸＞1mm；当德拜环可见，晶粒尺寸≤1mm。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，还包括当德拜衍射图谱中德拜环呈断续状态，并且衍射斑点可见时，0.5＜晶粒尺寸≤1mm；德拜环呈连续状态，并且衍射斑点不可见时，晶粒尺寸≤0.5mm。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述连续状态为：在该出现的德拜环位置上，各处均有衍射强度，环状衍射信号完整；所述断续状态为：在该出现的德拜环位置上，部分没有衍射强度，环状衍射信号较弱，仅分布不连续的衍射峰。

4.根据权利要求1-3任一项所述方法，其特征在于，还包括更换内孔尺寸为1mm的遮光孔或透光管，当德拜衍射图谱中德拜环呈断续状态时，0.1＜晶粒尺寸≤0.5mm；当德拜环呈连续状态时，晶粒尺寸≤0.1mm。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，还包括更换内孔尺寸为0.5mm的遮光孔或透光管，测定待测点的德拜衍射图谱；所述德拜衍射图谱中德拜环呈断续时，0.05＜晶粒尺寸≤0.1mm；当德拜环呈连续状时，晶粒尺寸≤0.05mm。

6.根据权利书要求1所述方法，其特征在于，所述X射线衍射装置中射线源为短波X射线源，具体包括Mo靶、V靶。

7.根据权利书要求1所述的方法，其特征在于，所述X射线衍射装置配置有二维平面或球形探测器，具体包括阵列探测器，位敏探测器，IP板。

8.根据权利书要求1所述方法，其特征在于，所述X射线衍射装置的光源至样品的工作距离为10～30mm，具体为15mm。

9.根据权利书要求1所述方法，其特征在于，所述遮光孔为带通孔板片状，材质为非晶态玻璃质，遮光孔外形具体为圆形，遮光孔内孔形状具体为锥形。

10.根据权利书要求1所述方法，其特征在于，所述透光管为上大下小锥形通孔形管，材质为非晶态玻璃质，上端连接X射线源窗口，下端贴近样品待测点。