[发明专利]非易失性存储器编程顺序

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，其包括：

非易失性存储器单元；

字线，其连接到所述非易失性存储器单元；和

控制电路，其连接到所述字线和所述非易失性存储器单元，其中所述控制电路配置成：

以第一顺序次序对所述字线中的一集合进行编程，

在以所述第一顺序次序对所述字线的所述集合进行编程后，将所述字线的所述集合擦除，其中所述字线的所述集合包括擦除单位，且

在所述擦除后，以第二顺序次序对所述字线的所述集合进行编程，其中所述第二顺序次序与所述第一顺序次序不同。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中所述第二顺序次序通过存储器裸片、存储器块和编程/擦除循环中的至少一个来改变所述编程顺序。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中所述第二顺序次序是所述第一顺序次序的反转。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中所述控制电路进一步配置成：

响应于确定所述非易失性存储装置中存在缺陷而将对所述字线的所述集合进行编程的方向从所述第一顺序次序反转为所述第二顺序次序。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中所述控制电路进一步配置成：

响应于所述字线的所述集合的编程/擦除循环计数超出阈值而将对所述字线的所述集合进行编程的方向从所述第一顺序次序反转为所述第二顺序次序。

6.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中所述字线的所述集合是所述字线的第一集合，所述控制电路进一步配置成：

以所述第一顺序次序对所述字线的第二集合进行编程，同时以所述第二顺序次序对所述字线的所述第一集合进行编程，其中所述字线的所述第二集合包括擦除单位。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其中所述控制电路进一步配置成：

将元页的第一物理页编程到所述字线的所述第一集合的第一字线中；且

将所述元页的第二物理页编程到所述字线的所述第二集合的第二字线中。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中所述控制电路进一步配置成：

利用所述第一物理页和所述第二物理页形成冗余数据；

存储所述冗余数据；以及

使用所述冗余数据来恢复所述第一物理页或所述第二物理页。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其中：

所述非易失性存储装置包括多个存储器裸片；

所述字线的所述第一集合驻存在所述多个存储器裸片的第一存储器裸片中；且

所述字线的所述第二集合驻存在所述多个存储器裸片的第二存储器裸片中。

10.根据权利要求6所述的非易失性存储装置，其进一步包括：

第一三维结构，所述字线的所述第一集合驻存在其中；和

第二三维结构，所述字线的所述第二集合驻存在其中，所述字线的所述第一集合和所述字线的所述第二集合驻存在所述对应的第一三维结构和所述对应的第二三维结构的相同层级中。

11.根据权利要求3所述的非易失性存储装置，其中：

所述非易失性存储器单元配置为各自具有漏极端和源极端的NAND串；

所述控制电路进一步配置成：

从所述源极端到所述漏极端对所述字线的所述集合进行编程从而以所述第一顺序次序对所述字线的所述集合进行编程；且

从所述漏极端到所述源极端对所述字线的所述集合进行编程从而以所述第二顺序次序对所述字线的所述集合进行编程。