[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 202010542259.4 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111682029A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 陈毅财 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1345 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本申请公开了一种具有引线的显示面板。显示面板包括基板,基板包括非显示区、显示区、阵列层以及多个引线。显示区比邻非显示区,阵列层位于显示区,引线位于非显示区。引线包括主体部与切割部,切割部连接于主体部。切割部包括切割边、长边、第一斜边与第二斜边。长边远离切割边。第一斜边的两端分别连接短边与长边的一端。第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端。第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成夹角,夹角的角度是30°~170°。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种具有引线的显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的发展,特别是手机与平板电脑等手持式显示设备的普及,用户对产品的画质要求越来越高,进一步推动高解析度产品的需求。高解析度可以提供更好的画质,图片显示更为细腻,但也意味着在相同尺寸下,像素数量需要提高,同时绑定布线也更密集,像素之间的间距趋向短小(Fine-pitch)。在传统绑定引线设计及现有连接设备能力条件下,很容易出现因切割或镭射造成切割边有金属残屑,导致相邻引线间存在搭接现象,在面板引线测试及绑定后驱动的过程中,容易造成产品线路短路现象。请参阅图1A与图1B,图1A为现有的大面板的示意图,图1B为图1A中的小面板的示意图。大面板10通过刀轮或镭射沿着切割线X1-X2/Y1-Y2切割成小面板11后,切割线边的线路容易残留金属屑。请参阅图1B与图1C,图1C为图1B中的13区域的局部放大图。小面板11具有引线部12,引线部12包括多个引线121,通过刀轮或镭射沿着切割线Y1-Y2切割成小面板11后,切割线边残留金属屑14,且相邻引线121的间距P很小,金属屑14直接将相邻的两根引线121搭接,造成面板引线测试及绑定制程通电时出现引线121短路不良。
发明内容
本申请实施例提供一种具有引线的显示面板及其制造方法,通过对引线结构的优化设计,降低因切割后残留的金属屑同时与两相邻引线接触,在后续的面板引线测试及绑定制程时,造成通电短路的风险。
本申请实施例提供一种显示面板,包括基板,包括非显示区;显示区,比邻非显示区;阵列层,位于显示区;以及多个引线,位于所述非显示区,其中引线包括主体部;以及切割部,连接于主体部,引线包括切割边;长边,远离切割边;第一斜边,第一斜边的两端分别连接切割边与长边的一端;以及第二斜边,第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端;其中第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成夹角,夹角的角度是30°~170°。
在一些实施例中,长边的长度大于切割边的长度。
在一些实施例中,主体部包括第一侧边;第二侧边,第二侧边远离第一侧边;第三侧边,第三侧边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的一端;以及长边,长边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的另一端,其中长边是主体部与切割部共用的一边;其中引线的主体部的第一侧边与相邻引线的主体部的第二侧边之间具有主体部间距,引线的切割部的切割边与相邻引线的切割部的切割边之间具有切割边间距,其中主体部间距的长度小于切割边间距的长度。
在一些实施例中,任一两相邻引线之间的主体部间距的长度相同。
在一些实施例中,切割边间距的长度是30微米-50微米。
本申请实施例提供一种显示面板的制造方法,包括提供基板,基板包括非显示区以及显示区;形成阵列层于显示区;形成金属层于非显示区之上;图案化金属层以形成引线,引线连接阵列层,引线包括主体部与切割部,其中切割部连接于主体部,切割部包括:短边;长边,远离短边;第一斜边,第一斜边的两端分别连接短边与长边的一端;以及第二斜边,第二斜边的两端分别连接短边与长边的另一端;其中第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成第一夹角,第一夹角的角度是30°~170°;以及切割部分切割部以形成切割边。
在一些实施例中,形成金属层的方法包括溅镀与蒸镀的其中一者。
在一些实施例中,切割部分切割部的方法包括刀轮切割与镭射切割的其中一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的