[发明专利]一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，包括：

在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；

使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗；

根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化；

所述根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化包括：

判断调试片的颜色是否发生变化；

若调试片的颜色没有发生变化，则表明调试片表面没有被破坏，根据调试片的清洗参数对生产片进行清洗；

若调试片的颜色发生变化，则表明调试片表面已经被破坏，对调试片的清洗参数进行调整后，再基于调整后的清洗参数对生产片进行清洗。

2.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层包括：

将硅片浸入在KOH与H₂O₂的混合溶液、或NaOH与H₂O₂的混合溶液中去除损伤层；

将去除损伤层后的硅片浸入KOH与异丙醇的混合溶液、或NaOH与异丙醇的混合溶液中进行制绒得到绒面硅片；

在900℃高温下对所述绒面硅片进行硼扩散形成硼硅玻璃层。

3.如权利要求1或2所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为40-60nm。

4.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层包括：

采用低压力化学气相沉积法沉积氧化硅层，采用低压力化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法沉积Poly硅层。

5.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，调试片Poly硅层的厚度与生产片Poly硅层的厚度相同，调试片Poly硅层的沉积方法与生产片Poly硅层的沉积方法一致。

6.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述硼扩散的硼源为三溴化硼，所述磷扩散的磷源为三氯氧磷。

7.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗包括：

将所述调试片置于浓度为5％-15％的氢氟酸中1-20min后，水洗并烘干。

8.如权利要求1所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，其特征在于，所述清洗参数包括氢氟酸浓度、氢氟酸温度和清洗时间。

9.一种TOPCon电池生产片制备方法，其特征在于，包括：

步骤一，对硅片进行双面碱制绒，形成绒面硅片；

步骤二，对所述绒面硅片的正面进行硼扩散，形成硼硅玻璃层；

步骤三，对所述绒面硅片的背面进行抛光及边缘刻蚀处理，去除硼扩散过程中绕扩到背面的硼掺杂层；

步骤四，在所述绒面硅片的背面先后沉积氧化硅层和Poly硅层；

步骤五，在所述Poly硅层上进行磷扩散；

步骤六，根据权利要求1-8任一项所述的TOPCon电池生产片清洗参数优化方法对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化；

步骤七，根据优化后的TOPCon电池生产片的清洗参数清洗去除正面的硼硅玻璃层以及绕镀到正面的Poly硅层；

步骤八，正背面钝化；

步骤九，正背面丝网印刷，高温下烧结，完成电池生产片的制备。