[发明专利]一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，包括：在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在所述硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在所述Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；使用氢氟酸对所述调试片进行预清洗，并根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。本发明能够解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层的问题，可以有效提高TOPCon电池的电学性能。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法。

背景技术

TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触)电池是一种新型钝化接触技术下的太阳能电池，该电池具有稳定性好、转化率高的特点，是目前高效N型电池的发展趋势。

在现有电池工艺中，通常需要使用HF(氢氟酸)腐蚀的方法，清洗去除电池正面的硼硅玻璃层。在常规工艺中，由于HF对硅本身的腐蚀速率非常低，并不会对电池造成较大损伤，但是TOPCon电池工艺中，多晶硅层(Poly硅层)比较薄，通常在100-300nm之间，且HF对多晶硅有相对较高的腐蚀速率，其浓度、温度、时间以及药液批次的波动，都可能造成背面poly硅的腐蚀，进而破坏硅片的钝化性能，降低TOPCon电池的电学性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化及制备方法，以解决现有技术TOPCon电池制备工艺中，对生产片的清洗参数不能准确把控，容易腐蚀poly硅层，影响TOPCon电池的电学性能的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种TOPCon电池生产片清洗参数优化方法，包括：

在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层，在硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层，在Poly硅层上进行磷扩散，制备得到调试片；

使用氢氟酸对该调试片进行预清洗；

根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化。

可选的，在硅片的表面进行碱制绒和硼扩散形成硼硅玻璃层包括：

将硅片浸入在KOH与H₂O₂的混合溶液、或NaOH与H₂O₂的混合溶液中去除损伤层；

将去除损伤层后的硅片浸入KOH与异丙醇的混合溶液、或NaOH与异丙醇的混合溶液中进行制绒得到绒面硅片；

在900℃高温下对绒面硅片进行硼扩散形成硼硅玻璃层。

可选的，硼硅玻璃层的厚度为40-60nm。

可选的，在硼硅玻璃层上先后沉积氧化硅层和Poly硅层包括：

采用低压力化学气相沉积法沉积氧化硅层，采用低压力化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法沉积Poly硅层。

可选的，调试片Poly硅层的厚度与生产片Poly硅层的厚度相同，调试片Poly硅层的沉积方法与生产片Poly硅层的沉积方法一致。

可选的，硼扩散的硼源为三溴化硼，磷扩散的磷源为三氯氧磷。

可选的，使用氢氟酸对调试片进行预清洗包括：

将调试片置于浓度为5％-15％的氢氟酸中1-20min后，水洗并烘干。

可选的，根据预清洗后的调试片的颜色对TOPCon电池生产片制备过程中的清洗参数进行优化包括：

判断调试片的颜色是否发生变化；