[发明专利]一种氧化锌基发光二极管及制造方法在审
| 申请号： | 202010542599.7 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111755579A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王霄;敖金平;冶琼;翟小崎;王婷婷;彭韬玮 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/28;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李婷;祁凡雨 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 发光二极管 制造 方法 | ||
1.一种氧化锌基发光二极管，其特征在于，从上至下依次包括P型硅衬底、圆柱形金属纳米颗粒阵列层、电子阻挡层和ZnO层；
其中，圆柱形金属纳米颗粒阵列层的金属纳米颗粒为圆柱形，通过控制圆柱形金属纳米颗粒的尺寸和间距，使得金属局域表面等离子体能量与ZnO激元能量相匹配，所述圆柱形金属纳米颗粒的尺寸直径范围为5～1000nm，间距为10～5000nm。
2.如权利要求1所述氧化锌基发光二极管，其特征在于，所述金属纳米颗粒包括Ag、Au、Al、Cu、Ni、Ti、Pt中的任意一种金属。
3.一种氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，对于权利要求1所述的圆柱形金属纳米颗粒阵列层通过阳极氧化铝薄膜制备，制备出的金属纳米颗粒为圆柱形，可精确控制圆柱形金属纳米颗粒的尺寸和间距。
4.如权利要求3所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，具体包括：
S1：将阳极氧化铝薄膜转移到P型硅衬底；
S2：在阳极氧化铝薄膜上沉积金属层；
S3：移除阳极氧化铝薄膜，保留圆柱形金属纳米颗粒；
S4：在金属纳米颗粒上依次沉积电子阻挡层和ZnO层。
5.如权利要求3或4所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述圆柱形金属纳米颗粒的尺寸直径范围为5～1000nm，间距为10～5000nm。
6.如权利要求3或4所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层包括三氧化二铝或二氧化铪中的一种。
7.如权利要求3或4所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述圆柱形金属纳米颗粒阵列层的制备采用水热法、磁控溅射、溶胶-凝胶法和原子层沉积中任意一种。
8.如权利要求3或4所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述圆柱形金属纳米颗粒阵列层、电子阻挡层和ZnO层的厚度范围均为1～500nm。
9.如权利要求3或4所述氧化锌基发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子阻挡层和ZnO层的制备均采用磁控溅射、电子束蒸发、溶胶-凝胶法和原子层沉积中任意一种。
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