[发明专利]OLED显示面板制备方法及显示面板、显示装置有效
申请号: | 202010543462.3 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111554731B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 李杰;陈作 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 刘进 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板制备方法,其特征在于,包括步骤:提供背板,所述背板上形成发光层,所述发光层上形成封装层;
在所述封装层远离所述发光层的一面形成有机层,在所述有机层上形成彩膜图案;
随后对有机层进行干刻,在有机层远离所述封装层的表面形成多个凹坑;
在所述多个凹坑内涂覆黑色金属形成阻光层;
在有机层设有彩膜图案的位置形成彩膜层;
在所述彩膜层上形成平坦层,所述平坦层覆盖所述彩膜层和所述阻光层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述有机层的材料为主链为苯环分子结构的有机材料。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述干刻的气体环境为氧气环境。
4.根据权利要求3所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述干刻的氧气流量为90-170sccm。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述干刻的氧气流量为150sccm。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,在有机层的凹坑内涂覆黑色金属形成阻光层具体包括:
在有机层上设有凹坑的一面涂覆黑色金属,
刻蚀有机层上非凹坑内的黑色金属,所述凹坑内的黑色金属形成阻光层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,所述黑色金属为钛铝钛合金。
8.根据权利要求1所述的OLED显示面板制备方法,其特征在于,对所述有机层进行曝光形成所述彩膜图案,所述彩膜图案贯穿所述有机层设置。
9.一种OLED显示面板,其特征在于,采用权利要求1-8任一所述制备方法进行制备。
10.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的OLED显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的