[发明专利]一种阻隔光阻放气污染的装置

说明书

本发明公开了一种阻隔光阻放气污染的装置，包括：一气体挡板，设于真空腔室内，并位于动态气体锁和晶圆之间，所述气体挡板上设有透光缝隙，所述透光缝隙的大小至少保证穿过所述动态气体锁的光线全部得到通过，并投射到涂覆光阻的所述晶圆的扫描区域上形成像场；其中，利用所述扫描区域在所述透光缝隙下方的不断变换，及所述光阻因曝光产生酸性气体相对于所述扫描区域变换的延时效应，使前一所述扫描区域在其上所述光阻产生酸性气体时，已位于所述透光缝隙以外的所述气体挡板下方，从而对其产生的酸性气体进行阻隔和吸附。本发明能够大大延缓更换动态气体锁的时间，增加出货量。

技术领域

本发明涉及集成电路及光刻技术领域，特别是涉及一种能够阻隔光阻放气污染的装置。

背景技术

请参考图1，图1是一种光刻真空腔室结构示意图。如图1所示，在例如13.5nm极紫外光刻中，晶圆13放置在下方真空腔室10内的晶圆平台12上进行光刻。光线通过透镜系统的镜头组，按照一定的传播方向投射到晶圆13上。透镜系统设于上方真空腔室11内。

光刻中使用的极紫外光刻胶(光阻)，在曝光过程中会产生大量的酸性气体14(放气)，并排放到真空腔室10、11中。酸性气体14会污染镜头，尤其是污染靠近晶圆13的镜头。

当前，解决酸性气体14污染的方案之一，是在靠近晶圆13的镜头与晶圆13之间增加一张薄膜——动态气体锁15，以尽可能阻挡晶圆13上光刻胶产生的酸性气体14扩散到透镜系统一侧，如图1-图2所示。

然而，随着曝光时间的增长，动态气体锁15上也会因为酸性气体14长期累积而出现脏污。如果不及时更换动态气体锁15，会影响曝光光线的强度，从而影响曝光的结果。

但是，常用的更换动态气体锁薄膜的方法，需要停机，并打开真空腔。而且，在更换动态气体锁薄膜之后，还需要重新对腔室进行抽真空，这一过程将花费约3天时间，因而会大大影响极紫外光刻机的出货量。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种阻隔光阻放气污染的装置。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种阻隔光阻放气污染的装置，包括：

一气体挡板，设于真空腔室内，并位于动态气体锁和晶圆之间，所述气体挡板上设有透光缝隙，所述透光缝隙的大小至少保证穿过所述动态气体锁的光线全部得到通过，并投射到涂覆光阻的所述晶圆的扫描区域上形成像场；

其中，利用所述扫描区域在所述透光缝隙下方的不断变换，及所述光阻因曝光产生酸性气体相对于所述扫描区域变换的延时效应，使前一所述扫描区域在其上所述光阻产生酸性气体时，已位于所述透光缝隙以外的所述气体挡板下方，从而对其产生的酸性气体进行阻隔和吸附。

进一步地，所述气体挡板以水平转动方式设于所述真空腔室内，所述透光缝隙通过所述气体挡板的转动，位于所述动态气体锁的下方，并位于所述晶圆的扫描路径上。

进一步地，所述气体挡板水平设置，并通过一转轴转动连接所述真空腔室的内壁，所述转轴偏置于所述动态气体锁的一侧。

进一步地，所述透光缝隙为多个，各所述透光缝隙之间间隔设置，并以所述气体挡板的转动中心为圆心形成环形分布。

进一步地，所述透光缝隙为以所述气体挡板的转动中心为圆心的环形缝隙。

进一步地，每个所述透光缝隙的形状与所述像场的形状对应。

进一步地，所述透光缝隙的数量为4～8个。

进一步地，所述气体挡板与所述转轴之间采用磁悬浮方式相配合。

进一步地，通过旋转所述气体挡板，使各所述透光缝隙位于所述动态气体锁的下方。