[发明专利]一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法有效
申请号: | 202010544602.9 | 申请日: | 2020-06-15 |
公开(公告)号: | CN111696879B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 匡乃亮;唐磊;李宝霞;赵超;郭雁蓉 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李鹏威 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 转接 芯片 kgd 筛选 方法 | ||
1.一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,根据硅转接标准基板和被测的FC裸芯片尺寸,确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量;
步骤2,先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘,之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄,露出TSV盲孔底部的导电材料,最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘,完成TSV硅转接标准基板的加工;
步骤3,将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上,完成被测的FC裸芯片到TSV硅转接标准基板的键合;
步骤4,先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化,再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。
2.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤1中先将硅转接标准基板切割划片成单个标准基板尺寸大小,然后再确定在该硅转接标准基板上放置的被测的FC裸芯片数量。
3.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤2中在硅转接标准基板的正面完成制备后,先和一个载片键合在一起,然后将该载片朝下放置,再实施TSV硅转接标准基板的背面工艺,完成后将该载片与硅转接标准基板解键合。
4.根据权利要求3所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述的载片粘在硅转接标准基板的正面。
5.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤3中,被测的FC裸芯片通过热压键合、先预对准再回流键合或将依次键合在整个TSV硅转接标准基板上。
6.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤3中所述被测的FC裸芯片在倒装前先在凸点上施加助焊剂,完成键合后对残留的助焊剂进行清洗。
7.根据权利要求6所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述残留的助焊剂清洗方式为高压液体清洗、真空气相清洗、兆声清洗和等立体清洗中的一种或多种组合。
8.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤4中,在被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙填充液态有机胶水。
9.根据权利要求8所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述的液态有机胶水在150~250℃进行固化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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