[发明专利]一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法

权利要求书

1.一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，根据硅转接标准基板和被测的FC裸芯片尺寸，确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量；

步骤2，先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘，之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄，露出TSV盲孔底部的导电材料，最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘，完成TSV硅转接标准基板的加工；

步骤3，将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上，完成被测的FC裸芯片到TSV硅转接标准基板的键合；

步骤4，先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化，再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。

2.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤1中先将硅转接标准基板切割划片成单个标准基板尺寸大小，然后再确定在该硅转接标准基板上放置的被测的FC裸芯片数量。

3.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤2中在硅转接标准基板的正面完成制备后，先和一个载片键合在一起，然后将该载片朝下放置，再实施TSV硅转接标准基板的背面工艺，完成后将该载片与硅转接标准基板解键合。

4.根据权利要求3所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，所述的载片粘在硅转接标准基板的正面。

5.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤3中，被测的FC裸芯片通过热压键合、先预对准再回流键合或将依次键合在整个TSV硅转接标准基板上。

6.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤3中所述被测的FC裸芯片在倒装前先在凸点上施加助焊剂，完成键合后对残留的助焊剂进行清洗。

7.根据权利要求6所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，所述残留的助焊剂清洗方式为高压液体清洗、真空气相清洗、兆声清洗和等立体清洗中的一种或多种组合。

8.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，步骤4中，在被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙填充液态有机胶水。

9.根据权利要求8所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，其特征在于，所述的液态有机胶水在150～250℃进行固化。