[发明专利]一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法有效

专利信息
申请号: 202010544602.9 申请日: 2020-06-15
公开(公告)号: CN111696879B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 匡乃亮;唐磊;李宝霞;赵超;郭雁蓉 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 李鹏威
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 转接 芯片 kgd 筛选 方法
【权利要求书】:

1.一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,根据硅转接标准基板和被测的FC裸芯片尺寸,确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量;

步骤2,先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘,之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄,露出TSV盲孔底部的导电材料,最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘,完成TSV硅转接标准基板的加工;

步骤3,将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上,完成被测的FC裸芯片到TSV硅转接标准基板的键合;

步骤4,先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化,再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。

2.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤1中先将硅转接标准基板切割划片成单个标准基板尺寸大小,然后再确定在该硅转接标准基板上放置的被测的FC裸芯片数量。

3.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤2中在硅转接标准基板的正面完成制备后,先和一个载片键合在一起,然后将该载片朝下放置,再实施TSV硅转接标准基板的背面工艺,完成后将该载片与硅转接标准基板解键合。

4.根据权利要求3所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述的载片粘在硅转接标准基板的正面。

5.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤3中,被测的FC裸芯片通过热压键合、先预对准再回流键合或将依次键合在整个TSV硅转接标准基板上。

6.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤3中所述被测的FC裸芯片在倒装前先在凸点上施加助焊剂,完成键合后对残留的助焊剂进行清洗。

7.根据权利要求6所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述残留的助焊剂清洗方式为高压液体清洗、真空气相清洗、兆声清洗和等立体清洗中的一种或多种组合。

8.根据权利要求1所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,步骤4中,在被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙填充液态有机胶水。

9.根据权利要求8所述的一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法,其特征在于,所述的液态有机胶水在150~250℃进行固化。

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