[发明专利]一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法

说明书

本发明一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，包括步骤1，确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量；步骤2，先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘，之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄，露出TSV盲孔底部的导电材料，最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘；步骤3，将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上；步骤4，先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化，再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。本发明将单颗或多颗不同大小的裸芯片及不同物理分布的引出点，转变成标准大小、标准引出点排列，从而降低测试成本。

技术领域

本发明涉及裸芯片KGD测试技术领域，具体为一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法。

背景技术

随着半导体产业的发展，基于裸芯片的MCM封装技术越来越被业界重视，但是裸芯片的未知质量问题所导致的封装成品率和可靠性的降低却使得MCM封装技术受到极大的限制，其中裸芯片的KGD测试是提高MCM成品率和可靠性的关键。

KGD工艺流程需要将芯片安装在临时载体的夹具中，完成老化筛选、测试出KGD。目前国外有多家半导体厂商已开发KGD技术，如德州仪器(TI)的Die Mate测试系统，Micro-ASI公司的Si-Star KGD测试系统，AEHR公司的Die PAC等。Micro-ASI公司的Si-Star测试系统由导电聚脂凸点粘附有导电聚酯凸点的陶瓷基板、拾片头和用于完成高低温试验的热电致冷器(TEC)组成，其中，将单个芯片置入一个临时载体的夹具中，单个芯片与陶瓷基板相接触，然后连同载体一起进行老化、测试，最后取出芯片，淘汰掉功能、参数不合格的产品。TI公司的Die Mate测试系统设置有临时性可重复使用的封壳载体，该封壳载体从上至下可分解为盖子、被测芯片、一体化的基板夹具、老化测试座等几大部分，盖子带有一个旋转式锁定机构，被测芯片通过封壳载体接受老化筛选。每个被测芯片在基板夹具上的定位精确度须达到微米级，由加载器和卸载器的拾取可视对准系统完成。

以上述两种设备为代表的KGD测试系统均存在测试的夹具价格昂贵的问题，只适应于大批量单一品种的裸芯片，不适应于MCM中裸芯片的尺寸、PAD坐标各异以及小批量的测试需求。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，通过转接基板将单颗或多颗不同大小的裸芯片及不同物理分布的引出点，转变成标准大小、标准引出点排列，从而采用标准夹具进行KGD筛选测试，降低测试成本。

本发明是通过以下技术方案来实现：

一种基于转接基板的裸芯片KGD筛选方法，包括如下步骤：

步骤1，根据硅转接标准基板和被测的FC裸芯片尺寸，确定硅转接标准基板上放置的该尺寸被测的FC裸芯片数量；

步骤2，先依次在硅转接标准基板的正面制备底部有导电材料填充的TSV盲孔、多层金属布线和焊盘，之后将得到的硅转接标准基板的背面减薄，露出TSV盲孔底部的导电材料，最后依次进行背面多层金属布线和背面焊盘，完成TSV硅转接标准基板的加工；

步骤3，将被测的FC裸芯片倒装在TSV硅转接标准基板上，完成被测的FC裸芯片到TSV硅转接标准基板的键合；

步骤4，先将被测的FC裸芯片和TSV硅转接标准基板之间的缝隙进行填充后固化，再将得到的标准组件通过KGD测试进行筛选。

优选的，步骤1中先将硅转接标准基板切割划片成单个标准基板尺寸大小，然后再确定在该硅转接标准基板上放置的被测的FC裸芯片数量。

优选的，步骤2中在硅转接标准基板的正面完成制备后，先和一个载片键合在一起，然后将该载片朝下放置，再实施TSV硅转接标准基板的背面工艺，完成后将该载片与硅转接标准基板解键合。

进一步，所述的载片粘在硅转接标准基板的正面。