[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010546208.9 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113809176A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;肖杏宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上具有介质层和位于所述介质层中的栅开口；
形成覆盖所述栅开口的底部和侧壁的高K栅介质层；
采用物理气相沉积工艺在所述栅开口内形成伪金属栅极；
去除所述伪金属栅极；
对所述高K栅介质层执行沉积后退火；
采用原子层沉积工艺在所述栅开口内形成金属栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述沉积后退火的工艺参数包括：气氛包括NH 3，温度为300-1000℃，时间为10-600s。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述栅开口的步骤包括：在所述基底上形成伪栅极结构；在所述基底上形成覆盖所述伪栅极结构的侧壁的介质层；形成所述介质层之后，去除所述伪栅极结构，形成位于所述介质层中的栅开口。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在采用物理气相沉积工艺在所述栅开口内形成伪金属栅极之后，还包括：
对所述半导体衬底执行高压退火工艺。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成覆盖所述栅开口的底部和侧壁的高K栅介质层之前，还包括：
在所述栅开口内形成界面层；所述高K栅介质层位于所述界面层上。
6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在采用物理气相沉积工艺在所述栅开口内形成伪金属栅极之前，还包括：形成覆盖所述高K栅介质层的伪阻挡层；刻蚀去除所述伪金属栅极之后，还包括刻蚀去除所述伪阻挡层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述伪阻挡层的工艺为物理气相沉积工艺。
8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪阻挡层材料为氮化钛。
9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述栅开口内形成金属栅极之前，还包括：形成覆盖所述高K栅介质层的阻挡层；形成所述阻挡层之后，采用原子层沉积工艺在所述栅开口内形成所述金属栅极。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，高K栅介质层的厚度为0.5nm～5nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010546208.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
