[发明专利]存储器装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

多个页，所述多个页联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；

编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及

起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对所述第一页的编程操作期间与包括在所述第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息，

其中，所述编程操作控制器还被配置为基于所述起始循环信息对所述多个页当中的要在所述第一页之后编程的第二页执行编程操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为在对所述第二页的编程操作期间基于所述起始循环信息省略与包括在所述第二页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程验证包括通过比特检查操作和失败比特检查操作中的任一个，所述通过比特检查操作确定阈值电压高于验证电压的存储器单元的数量是否大于第一基准数量，所述失败比特检查操作确定阈值电压低于所述验证电压的存储器单元的数量是否小于第二基准数量。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述起始循环管理器被配置为基于对要编程到所述第一页的多个编程状态中的每一个的通过比特检查操作已经通过的编程循环来生成所述起始循环信息。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述起始循环管理器被配置为生成关于对要编程到所述第一页的所述多个编程状态中的每一个的失败比特检查操作开始的编程循环的起始循环信息。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为基于所述起始循环信息来省略对要编程到所述第二页的多个编程状态的失败比特验证操作。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为在直至就在对要编程到所述第一页的所述多个编程状态中的每一个的所述失败比特验证操作开始的编程循环之前的编程循环的范围内省略对要编程到所述第二页的所述多个编程状态中的每一个的所述失败比特验证操作。

8.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为从这样的编程循环开始执行所述失败比特检查操作，该编程循环在对所述第一页的编程操作期间对多个编程状态中的每一个的所述通过比特检查操作已经通过的编程循环之后。

9.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为从这样的编程循环开始执行所述失败比特检查操作，该编程循环在从对所述第一页的编程操作期间对多个编程状态中的每一个的所述通过比特检查操作已经通过的编程循环起已执行预设数量的编程循环之后。

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器被配置为通过将选择电压依次施加到不同的选择线来对所述多个页依次执行编程操作。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述选择线包括漏极选择线或源极选择线。

12.一种存储器装置，该存储器装置包括：

联接到公共位线的第一单元串和第二单元串；

编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对包括在所述第一单元串中的存储器单元当中的联接到公共字线的第一存储器单元和包括在所述第二单元串中的存储器单元当中的联接到所述公共字线的第二存储器单元依次编程；以及

起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对所述第一存储器单元的编程操作期间与所述第一存储器单元的阈值电压所能够形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息，

其中，基于所述起始循环信息来执行对所述第二存储器单元的编程操作。