[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

存储器装置及其操作方法。根据操作方法的存储器装置可包括：多个页，其联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择；编程操作控制器，其被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作；以及起始循环管理器，其被配置为生成关于在对第一页的编程操作期间与包括在第一页中的存储器单元的阈值电压所形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。编程操作控制器还被配置为基于起始循环信息对所述多个页当中的要在第一页之后编程的第二页执行编程操作。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置以及操作该存储器装置的方法。

背景技术

存储装置是在主机装置(例如，计算机或智能电话)的控制下存储数据的装置。存储装置可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

易失性存储器装置是只有当供电时才存储数据，当供电中断时丢失所存储的数据的存储器装置。易失性存储器装置的示例可包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。

非易失性存储器装置是即使当供电中断时也保持所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪存。

发明内容

根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括多个页，所述多个页联接到公共字线并且被配置为由不同的选择线依次选择。该存储器装置还可包括编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对所述多个页当中的要首先编程的第一页执行编程操作。该存储器装置还可包括起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对第一页的编程操作期间与包括在第一页中的存储器单元的阈值电压形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。编程操作控制器可被配置为基于起始循环信息对所述多个页当中的要在第一页之后编程的第二页执行编程操作。

根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括联接到公共位线的第一单元串和第二单元串。该存储器装置还可包括编程操作控制器，该编程操作控制器被配置为对包括在第一单元串中的存储器单元当中的联接到公共字线的第一存储器单元和包括在第二单元串中的存储器单元当中的联接到公共字线的第二存储器单元依次编程。该存储器装置还可包括起始循环管理器，该起始循环管理器被配置为生成关于在对第一存储器单元的编程操作期间与第一存储器单元的阈值电压能够形成的多个编程状态中的每一个对应的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。基于起始循环信息来执行对第二存储器单元的编程操作。

根据本公开的实施方式，提出了一种操作存储器装置的方法，其中，该存储器装置包括联接到公共字线并被配置为由不同的选择线依次选择的多个页，所述多个页各自具有多个存储器单元，该方法可包括在对所述多个页当中的要首先编程的第一页的编程操作期间，基于对多个编程状态中的每一个的编程验证通过的编程循环来生成关于后续要编程的页的编程验证开始的编程循环的起始循环信息。该方法还可包括基于起始循环信息来对所述多个页当中的要在第一页之后编程的第二页进行编程。

附图说明

图1是示出存储器装置的图。

图2是示出根据实施方式的存储器装置100的图。

图3是示出图1的存储器单元阵列的实施方式的图。

图4是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的存储块BLKa的电路图。

图5是示出图3的存储块BLK1至BLKz中的存储块BLKb的示例的电路图。

图6是用于说明存储器单元的编程状态的图。

图7是示出编程操作的图。

图8是用于说明在编程操作期间施加到所选字线的电压的图。