[发明专利]晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 202010546548.1 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN111489966A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 邵滋人;李荣;陈瑜;沈珏玮 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10提供晶圆，所述晶圆包括：电路层和半导体层，所述电路层的上表面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，且所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错设置；
S20利用激光沿所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕向晶圆背面进行切割，得到多条纵向切割道和多条横向切割道，且所述多条纵向切割道和所述多条横向切割道的深度大于晶圆的最终厚度；
S30在切割后的所述电路层的上表面贴附研磨胶膜层；
S40对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度，从而得到分离的芯片；
S50在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层；
S60通过所述胶膜层将晶圆固定于晶圆架上，去除所述电路层上的研磨胶膜层；
S70利用激光沿所述多条纵向切割道和所述多条横向切割道切割，将所述胶膜层切断；
S80在低温下使芯片与胶膜层分离。
2.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述电路层的材质为低介电常数的材质。
3.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，在所述S40步骤中，具体包括：
S41对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行粗磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+60μm；
S42对粗磨后的晶圆的背面进行精磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+20μm；
S43对精磨后的晶圆的背面进行抛光，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度。
4.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述研磨胶膜层为UV胶膜；
所述胶膜层为切割胶带或蓝膜。
5.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述S20步骤中，激光切割的功率为1W～3W。
6.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述S80步骤中，具体包括：将芯片放置于低温容器中，所述低温容器的温度为-20℃～-40℃。
7.根据权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述晶圆的最终厚度为35μm～60μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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