[发明专利]晶圆的切割方法

说明书

本发明公开了一种晶圆的切割方法。本发明的晶圆的切割方法，包括以下步骤，首先利用激光沿晶圆正面的预切痕进行切割，激光切割的切割道的深度超过晶圆的最终厚度的，然后在晶圆的正面上贴附研磨胶膜层，对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨，将晶圆研磨到最终的目标厚度，使芯片之间相互分开，在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层，并通过胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上，再去除晶圆正面上的研磨胶膜层。再利用激光沿芯片间的纵向和横向切割道继续切割，将晶圆背面的胶膜层切开，最后在低温状态下使胶膜层与芯片相互分离。本发明的切割方法，用于超薄晶圆的切割，晶圆切割时不会产生崩缺问题，提高了晶圆的切割的良率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆的切割方法。

背景技术

集成电路芯片不断向高密度、轻薄的方向发展，为了满足要求，需要对晶圆进行减薄及切割。晶圆减薄技术是层叠式芯片封装的关键技术，由于芯片堆叠的层数不断提升，芯片的厚度在逐渐减薄。

目前，晶圆减薄切割的传统工艺流程为，刀片半切割、正面贴膜、背面研磨、背面贴膜、正面揭膜和晶圆切割等工艺步骤，其中晶圆切割工艺中使用的切割工具为刀片。

本申请的发明人发现，现有技术中的采用机械刀片直接作用在晶圆表面对晶圆进行切割，会在晶圆内部造成应力损伤，且刀片切割时晶圆容易产生崩缺的缺陷。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆的切割方法，用于超薄晶圆的切割工艺中，可有效改善晶圆切割时的崩缺问题，提高切割晶圆得到芯片的良率。

本发明实施例提供一种晶圆的切割方法，包括以下步骤：

S10提供晶圆，所述晶圆包括：电路层和半导体层，所述电路层的上表面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，且所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错设置；

S20利用激光沿所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕向晶圆背面进行切割，得到多条纵向切割道和多条横向切割道，且所述多条纵向切割道和所述多条横向切割道的深度大于晶圆的最终厚度；

S30在切割后的所述电路层的上表面贴附研磨胶膜层；

S40对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨，使晶圆达到最终厚度，从而得到分离的芯片；

S50在研磨后的晶圆的背面贴附胶膜层；

S60通过所述胶膜层将晶圆固定于晶圆架上，去除所述电路层上的研磨胶膜层；

S70利用激光沿所述多条纵向切割道和所述多条横向切割道切割，将所述胶膜层切断；

S80在低温下使芯片与胶膜层分离。

在一种可行的方案中，所述电路层的材质为低介电常数的材质。

在一种可行的方案中，在所述S40步骤中，具体包括：

S41对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行粗磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+60μm；

S42对粗磨后的晶圆的背面进行精磨，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度+20μm；

S43对精磨后的晶圆的背面进行抛光，直至所述晶圆的厚度到达最终晶圆厚度。

在一种可行的方案中，所述研磨胶膜层为UV胶膜；

所述胶膜层为切割胶带或蓝膜。

在一种可行的方案中，所述S20步骤中，激光切割的功率为1W～3W。

在一种可行的方案中，所述S80步骤中，具体包括：将芯片放置于低温容器中，所述低温容器的温度为-20℃～-40℃。