[发明专利]压印模板及其制备方法

权利要求书

1.一种压印模板的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上依次形成牺牲层和压印胶层；

将由母模板翻制出来的软模板压印在所述压印胶层上，在所述压印胶层上形成位于图案区的压印图案和位于段差区的段差图案；

去除所述段差区的压印胶层和牺牲层。

2.根据权利要求1所述的压印模板的制备方法，其特征在于，还包括：

提供一母模板，所述母模板包括原始图案；

利用所述母模板形成包括转移图案和不良图案的软模板；所述转移图案为所述母模板上原始图案的互补图案，所述不良图案包括形成所述软模板过程中所述母模板上边缘形成的图案。

3.根据权利要求2所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述压印胶层上的压印图案为所述转移图案的互补图案，所述压印胶层上的段差图案为所述不良图案的互补图案。

4.根据权利要求2所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述母模板包括单晶硅晶圆、石英或者玻璃，所述母模板的形状包括正方形、矩形、圆形或者椭圆形。

5.根据权利要求2所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述母模板包括有效区和边缘区，所述原始图案设置在所述有效区，所述压印模板的图案区的面积小于或等于所述母模板的有效区的面积。

6.根据权利要求1～5任一项所述的压印模板的制备方法，其特征在于，去除所述段差区的压印胶层和牺牲层，包括：

在所述压印胶层上形成光刻胶层，采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理，在所述图案区形成未曝光区域，在所述段差区形成完全曝光区域，通过显影去除所述完全曝光区域的光刻胶层，保留覆盖所述压印图案的光刻胶层；

通过第一次处理去除所述段差区的部分压印胶层；

通过第二次处理去除所述段差区的牺牲层和剩余的压印胶层；

通过第三次处理去除所述图案区的光刻胶层。

7.根据权利要求6所述的压印模板的制备方法，其特征在于，通过第一次处理去除所述段差区的部分压印胶层，包括：采用反应离子刻蚀工艺或电感耦合式等离子刻蚀工艺，刻蚀时间为60秒～200秒，刻蚀所述段差区的压印胶层，所述段差区中部分位置的牺牲层暴露出来，其它位置的牺牲层覆盖有压印胶块。

8.根据权利要求7所述的压印模板的制备方法，其特征在于，通过第二次处理去除所述段差区的牺牲层和剩余的压印胶层，包括：采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述段差区暴露出来的牺牲层，刻蚀时间为60秒～200秒，去除所述段差区的牺牲层和所述压印胶块。

9.根据权利要求8所述的压印模板的制备方法，其特征在于，通过第三次处理去除所述图案区的光刻胶层，包括：采用光刻胶湿法剥离工艺剥离所述图案区的光刻胶层，剥离时间为60秒～300秒。

10.根据权利要求6所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为20nm～40nm，所述光刻胶层的厚度为2μm～8μm。

11.根据权利要求6所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述未曝光区域的面积小于或等于所述图案区的面积。

12.根据权利要求11所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述未曝光区域在基底上正投影的边界位于所述图案区在基底上正投影的边界范围内，所述未曝光区域在基底上正投影的边界与所述图案区在基底上正投影的边界之间的距离为2mm～20mm。

13.根据权利要求1～5任一项所述的压印模板的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括如下任意一种或多种：金属材料、透明导电材料和氧化物材料，金属材料包括如下任意一种或多种：铝、钼、铜、银和钛，透明导电材料包括如下任意一种或多种：氧化铟锡，氧化物材料包括如下任意一种或多种：氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化铟锌、氧化铟镓和氧化铟铝锌。