[发明专利]压印模板及其制备方法

说明书

本发明实施例提供了一种压印模板及其制备方法。压印模板的制备方法包括：在基底上依次形成牺牲层和压印胶层；将由母模板翻制出来的软模板压印在所述压印胶层上，在所述压印胶层上形成位于图案区的压印图案和位于段差区的段差图案；去除所述段差区的压印胶层和牺牲层。在由软模板制备压印模板过程中，本发明实施例通过去除由软模板带来的段差图案，解决了现有小尺寸母模板复制成大尺寸压印模板过程中存在段差不良等问题，可以实现从小尺寸母模板向大尺寸压印机使用大尺寸压印模板的图案准确转移。

技术领域

本发明涉及但不限于半导体技术领域，具体涉及一种压印模板及其制备方法。

背景技术

纳米压印技术(NIL)是一种薄膜图案化技术，主要包括热压印、紫外压印和微接触压印，具有分辨率高、成本低、产率高、可大规模生产等特点。热压印和紫外压印的图案化原理为：在热或者紫外照射下，将预先制作有图案的压印模版压在压印胶上，通过脱模、刻蚀多余胶、刻蚀和去胶等工艺，制作出与压印模版互补的图案。目前，纳米压印技术主要应用在生物传感、发光二极管(LED)光效提升、光路控制、虚拟现实/增强现实(AR/VR)等领域的薄膜图案化工艺。

随着显示技术领域大尺寸、低成本的需求日益迫切，中尺寸或大尺寸显示装置的制备逐渐开始采用纳米压印技术。应用于显示技术领域的纳米压印工艺流程通常包括：先制备出压印模板，然后根据压印模板制备出大尺寸压印机使用的工作模板，利用工作模板进行显示基板上薄膜的图案化。但经本申请发明人研究发现，现有压印模板存在段差不良的问题。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种压印模板及其制备方法，解决现有压印模板存在段差不良的问题。。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种压印模板的制备方法，包括：

在基底上依次形成牺牲层和压印胶层；

将由母模板翻制出来的软模板压印在所述压印胶层上，在所述压印胶层上形成位于图案区的压印图案和位于段差区的段差图案；

去除所述段差区的压印胶层和牺牲层。

可选地，还包括：

提供一母模板，所述母模板包括原始图案；

利用所述母模板形成包括转移图案和不良图案的软模板；所述转移图案为所述母模板上原始图案的互补图案，所述不良图案包括形成所述软模板过程中所述母模板上边缘形成的图案。

可选地，所述压印胶层上的压印图案为所述转移图案的互补图案，所述压印胶层上的段差图案为所述不良图案的互补图案。

可选地，所述母模板包括单晶硅晶圆、石英或者玻璃，所述母模板的形状包括正方形、矩形、圆形或者椭圆形。

可选地，所述母模板包括有效区和边缘区，所述原始图案设置在所述有效区，所述压印模板的图案区的面积小于或等于所述母模板的有效区的面积。

可选地，去除所述段差区的压印胶层和牺牲层，包括：

在所述压印胶层上形成光刻胶层，采用掩膜板对所述光刻胶层进行曝光处理，在所述图案区形成未曝光区域，在所述段差区形成完全曝光区域，通过显影去除所述完全曝光区域的光刻胶层，保留覆盖所述压印图案的光刻胶层；

通过第一次处理去除所述段差区的部分压印胶层；

通过第二次处理去除所述段差区的牺牲层和剩余的压印胶层；

通过第三次处理去除所述图案区的光刻胶层。

可选地，通过第一次处理去除所述段差区的部分压印胶层，包括：采用反应离子刻蚀工艺或电感耦合式等离子刻蚀工艺，刻蚀时间为60秒～200秒，刻蚀所述段差区的压印胶层，所述段差区中部分位置的牺牲层暴露出来，其它位置的牺牲层覆盖有压印胶块。