[发明专利]过压保护用电流比较电路

权利要求书

1.一种过压保护用电流比较电路，其特征在于，包括：

电流比较器，用于将电压输入信号转化为电流信号后与基准电流信号进行比较，并输出初始比较结果信号；

零温度系数电流源，其耦接于电流比较器的正向输入侧，用于产生基准电流信号；

迟滞比较器，其用于将初始比较结果信号与参考电压信号进行比较，并输出最终比较结果信号。

2.根据权利要求1所述的过压保护用电流比较电路，其特征在于，所述迟滞比较器设置有参考电压信号端Vref1、Vref2，以及最终比较结果信号端Vout3；所述电流比较器设置有电压输入信号端Vin。

3.根据权利要求2所述的过压保护用电流比较电路，其特征在于，所述零温度系数电流源、电流比较器以及迟滞比较器均电连接有电源端VDD和接地端GND。

4.根据权利要求3所述的过压保护用电流比较电路，其特征在于，所述零温度系数电流源包括NMOS管NM1～NM7、PMOS管PM1～PM10、电阻器R1～R5、三极管Q1～Q2以及电容器C1；

其中，电阻器R1的一端、三极管Q1的发射极、PMOS管PM3的栅极以及PMOS管PM1的漏极电连接；电阻器R1的另一端，三极管Q1的集电极和基极，NMOS管NM1～NM5、NM7的源极，三极管Q2的集电极和基极，以及电阻器R4、R5的一端均与接地端GND连接；PMOS管PM1、PM2、PM5～PM8、PM10的源极均电连接电源端VDD；PMOS管PM1、PM2、PM5～PM7、PM10的栅极，PMOS管PM5的漏极，电容器C1的一端以及NMOS管NM3、NM5的漏极电连接，并作为所述零温度系数电流源的偏置电压端；PMOS管PM2的漏极、PM3的源极以及PM4的源极电连接；PMOS管PM3的漏极，NMOS管NM2的栅极，以及NMOS管NM1的漏极和栅极电连接；PMOS管PM4的漏极、NMOS管NM2的漏极、电阻器R2的一端以及NMOS管NM3的栅极电连接；电阻器R2的另一端与电容器C1的另一端电连接；PMOS管PM4的栅极、PMOS管PM6的漏极、电阻器R3的一端以及电阻器R4的另一端电连接；电阻器R5的另一端、PMOS管PM7的漏极以及NMOS管NM4的栅极电连接；PMOS管PM9的源极与PMOS管PM8的栅极和漏极电连接；PMOS管PM9的栅极和漏极、NMOS管NM4的漏极以及NMOS管NM5的栅极电连接；PMOS管PM10的漏极与NMOS管NM6的漏极和栅极电连接，并作为所述零温度系数电流源的第一基准电流信号端；NMOS管NM6的源极与NMOS管NM7的漏极和栅极电连接，并作为所述零温度系数电流源的第二基准电流信号端。

5.根据权利要求4所述的过压保护用电流比较电路，其特征在于，所述电流比较器包括PMOS管PM11、NMOS管NM8、NMOS管NM9以及电容器C2；

其中，PMOS管PM11的栅极与电压输入信号端Vin电连接；PMOS管PM11的源极与电源端VDD电连接；NMOS管NM8的栅极作为所述电流比较器的第一正向输入端，并与所述零温度系数电流源的第一基准电流信号端电连接；NMOS管NM9的栅极作为所述电流比较器的第二正向输入端，并与所述零温度系数电流源的第二基准电流信号端电连接；NMOS管NM8的源极与NMOS管NM9的漏极电连接；NMOS管NM9的源极以及电容器C2的一端均与接地端GND连接；PMOS管PM11的漏极与NMOS管NM8的漏极和电容器C2的另一端电连接，并作为所述电流比较器的初始比较结果信号端Vout1。