[发明专利]过压保护用电流比较电路

说明书

本发明公开了一种过压保护用电流比较电路，涉及IC芯片技术领域。包括电流比较器，用于将电压输入信号转化为电流信号后与基准电流信号进行比较，并输出初始比较结果信号；零温度系数电流源，其耦接于电流比较器的正向输入侧，用于产生基准电流信号；迟滞比较器，其用于将初始比较结果信号与参考电压信号进行比较，并输出最终比较结果信号。该电路使用的迟滞比较器参考电压由基准电压源提供，对工艺及工作温度不敏感，因此能够避免迟滞比较器在不同工作温度时过压保护阈值的变化或受芯片制造过程中工艺角的影响，从而提高过压保护功能的可靠性；采用迟滞比较器能够增强抗干扰能力，并且可以设置过压参考电压以及恢复参考电压。

技术领域

本发明涉及IC芯片技术领域，具体而言，涉及一种过压保护用电流比较电路。

背景技术

随着计算机技术、多媒体技术、信号处理技术以及微电子技术的发展，IC芯片使用的普及程度越来越高，这就促使IC芯片在工艺、结构、性能及可靠性要求上都发生了很大的变化，并朝着高速、低功耗、小体积、片内集成的方向发展。

在芯片可靠性设计方面，过压保护模块的加入是重中之重，一旦输入电压超过芯片内部承受电压极限条件，将会对芯片造成不可逆的损害，极大程度影响了芯片的使用寿命。因此过压保护模块的设计逐渐成为所有芯片不可或缺的一部分。

传统过压保护用的比较电路，其输出级采用的是施密特触发器，其上门限与下门限电压设置由MOS管的阈值电压决定，阈值电压受工艺温度等因素影响，导致施密特触发器阈值电压变化较大，可靠性较低；传统过压保护用的比较电路，其输入级的基准电流产生电路，需要外加偏置，电路较为复杂，在不同工作温度时过压保护阈值会发生变化，导致过压保护功能的可靠性较低。

发明内容

本发明在于提供一种过压保护用电流比较电路，其能够缓解上述问题。

为了缓解上述的问题，本发明采取的技术方案如下：

一种过压保护用电流比较电路，包括：

电流比较器，用于将电压输入信号转化为电流信号后与基准电流信号进行比较，并输出初始比较结果信号；

零温度系数电流源，其耦接于电流比较器的正向输入侧，用于产生基准电流信号；

迟滞比较器，其用于将初始比较结果信号与参考电压信号进行比较，并输出最终比较结果信号。

进一步地，所述迟滞比较器设置有参考电压信号端Vref1、Vref2，以及最终比较结果信号端Vout3；所述电流比较器设置有电压输入信号端Vin。

更进一步地，所述零温度系数电流源、电流比较器以及迟滞比较器均电连接有电源端VDD和接地端GND。

更进一步地，所述零温度系数电流源包括NMOS管NM1～NM7、PMOS管PM1～PM10、电阻器R1～R5、三极管Q1～Q2以及电容器C1；