[发明专利]一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构

权利要求书

1.一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，包括：裸芯片(100)和封装件(200)，其中，

所述裸芯片(100)包括裸芯片主体(101)，所述裸芯片主体(101)上设置有屏蔽结构(102)以及若干第一引脚(103)，若干所述第一引脚(103)均与所述屏蔽结构(102)连接；

所述封装件(200)包括引线框架主体(201)和第一焊盘(202)、所述裸芯片主体(101)安装在所述引线框架主体(201)上，所述第一焊盘(202)与所述引线框架主体(201)连接；

所述第一引脚(103)通过第一键合线(300)与所述第一焊盘(202)连接，所述第一引脚(103)作为所述屏蔽结构(102)的引脚，所述第一焊盘(202)作为屏蔽用焊盘，通过所述第一键合线(300)连接所述第一引脚(103)和所述第一焊盘(202)，在所述裸芯片主体(101)的表面形成了包裹所述裸芯片主体(101)的屏蔽壳；

所述屏蔽结构(102)为金属网状结构，所述金属网状结构的网格尺寸小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10，所述金属网状结构的网线宽度小于或等于所述第一引脚(103)的宽度；

所述屏蔽结构(102)的厚度大于或等于需屏蔽电磁波在所述裸芯片主体(101)顶层材料中的趋肤深度；

所述屏蔽结构(102)利用所述裸芯片主体(101)的顶层金属加工制作而成。

2.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，所述裸芯片(100)包括若干第二引脚(104)，所述第二引脚(104)和所述第一引脚(103)间隔设置在所述裸芯片主体(101)上。

3.根据权利要求2所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，所述封装件(200)包括相互连接第二焊盘(203)和芯片管脚(204)，所述第二焊盘(203)通过第二键合线(400)与所述第二引脚(104)连接。

4.根据权利要求3所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，所述封装件(200)还包括封装外壳(205)，所述封装外壳(205)用于对所述裸芯片(100)进行密封保护，所述引线框架主体(201)的下表面位于所述封装外壳(205)外部。

5.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，相邻所述第一引脚(103)之间的间距小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。

6.根据权利要求1所述的具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，其特征在于，所述第一引脚(103)的键合点与所述第一焊盘(202)的键合点之间的距离小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。