[发明专利]一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构

说明书

本发明涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，包括：裸芯片和封装件，其中，所述裸芯片包括裸芯片主体，所述裸芯片主体上设置有屏蔽结构以及若干第一引脚，若干第一引脚均与屏蔽结构连接；所述封装件包括引线框架主体和第一焊盘、所述裸芯片主体安装在所述引线框架主体上，所述第一焊盘与所述引线框架主体连接；所述第一引脚通过第一键合线与所述第一焊盘连接。本发明的四方扁平芯片封装结构，在裸芯片主体的上表面形成屏蔽结构，通过键合线将连接屏蔽结构的第一引脚与第一焊盘键合连接，形成了包裹裸芯片主体的屏蔽壳，无需开发专用的屏蔽壳体，就可以实现抗电磁脉冲干扰。

技术领域

本发明属于电磁脉冲防护技术领域，具体涉及一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构。

背景技术

封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁——芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。QFP(Quad Flat Package，方形扁平封装)是专为小引脚间距表面组装IC芯片(Integrated Circuit Chip)而研制的新型封装形式。QFP是适应IC芯片容量增加、I/O数量增多而出现的封装形式，目前已被广泛使用。

随着微电子技术的发展，半导体集成电路已在通信、交通、能源、军事、国防等诸多重要领域得到广泛应用。但大量电子设备不可避免的共同工作，导致了电磁兼容问题的出现，尤其对于集成度不断提高的半导体器件，微波干扰以及翻转效应变得日益严重。外界各种电磁干扰，可以通过各种耦合途径输入电子系统，导致计算机出错、设备重启、仪器死机等问题，严重时会造成某些电子器件永久性失效，这些故障会对电子系统造成很大的损伤，给人们的生活带来极大的不便。而高功率微波作为一种引起广泛关注的新的电磁干扰源，其电磁辐射对电子电器系统和设施造成的干扰和破坏，可能导致电路失效、系统瘫痪。因此如何提高集成电路抗电磁干扰的能力，尤其是高功率微波电磁辐射引起的数字电路的干扰成为亟待解决的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种具有高抗电磁脉冲干扰能力的四方扁平芯片封装结构，包括：裸芯片和封装件，其中，

所述裸芯片包括裸芯片主体，所述裸芯片主体上设置有屏蔽结构以及若干第一引脚，若干所述第一引脚均与所述屏蔽结构连接；

所述封装件包括引线框架主体和第一焊盘、所述裸芯片主体安装在所述引线框架主体上，所述第一焊盘与所述引线框架主体连接；

所述第一引脚通过第一键合线与所述第一焊盘连接。

在本发明的一个实施例中，所述裸芯片包括若干第二引脚，所述第二引脚和所述第一引脚间隔设置在所述裸芯片主体上。

在本发明的一个实施例中，所述封装件包括相互连接第二焊盘和芯片管脚，所述第二焊盘通过第二键合线与所述第二引脚连接。

在本发明的一个实施例中，所述封装件还包括封装外壳，所述封装外壳用于对所述裸芯片进行密封保护，所述引线框架主体的下表面位于所述封装外壳外部。

在本发明的一个实施例中，所述屏蔽结构为金属网状结构。

在本发明的一个实施例中，所述金属网状结构的网格尺寸小于或等于需屏蔽电磁波波长的1/10。

在本发明的一个实施例中，所述金属网状结构的网线宽度小于或等于所述第一引脚的宽度。

在本发明的一个实施例中，所述屏蔽结构的厚度大于或等于需屏蔽电磁波在所述裸芯片主体顶层材料中的趋肤深度。