[发明专利]一种制绒清洗方法及异质结电池在审
申请号: | 202010552112.3 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111508824A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 左国军;谢毅;任金枝;刘正新 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司;中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/072 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 方法 异质结 电池 | ||
1.一种制绒清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、用含有臭氧的混合溶液对硅片进行预处理,预处理过程中硅片的表面生成用以附着污染物的氧化层;
步骤2、通过碱液去除硅片表面的氧化层;
步骤3、水洗后对硅片进行氧化性清洗,清洗过程中硅片的表面再次生成氧化层;
步骤4、通过碱液对硅片进行制绒;
步骤5、对硅片进行不少于一次的水洗;
步骤6、用含有双氧水的碱液对硅片去污;
步骤7、水洗后用含有臭氧的酸液对硅片表面进行圆化处理;
步骤8、水洗后对硅片进行酸洗;
步骤9、水洗后烘干硅片。
2.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤7中用含有臭氧的酸液对硅片表面进行圆化处理包括:步骤a、用含有臭氧、氢氟酸和盐酸的混合溶液对硅片表面进行圆化处理;步骤b、用含有臭氧和盐酸的混合溶液对硅片表面进行圆化后处理;步骤c、对硅片进行清洗。
3.根据权利要求2所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤a的混合溶液中臭氧浓度为10PPM-100PPM、氢氟酸浓度为1%-5%、盐酸浓度为0.01%-0.5%,所述步骤a的混合溶液温度为20℃-25℃、反应时间为90s-600s;所述步骤b的混合溶液中臭氧浓度为10PPM-50PPM、盐酸浓度为0.01%-0.5%,所述步骤b的混合溶液温度为室温、反应时间90s-180s。
4.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤7中用含有臭氧的酸液对硅片表面进行圆化处理包括:用含有臭氧、氢氟酸和盐酸的混合溶液对硅片表面进行圆化及后处理,再对硅片进行清洗;所述步骤7的混合溶液中臭氧浓度10PPM-100PPM、氢氟酸浓度为1%-5%、盐酸浓度为0.01%-0.5%,所述步骤7的混合溶液温度为20℃-40℃、反应时间90s-600s。
5.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤1的混合溶液中臭氧浓度为10PPM-20PPM、盐酸浓度为0.01%-0.5%;所述步骤1的混合溶液为室温、反应时间为90s-180s。
6.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤2的碱液中氢氧化钾浓度1%-10%;所述步骤2的碱液温度为60℃-80℃、反应时间为90s-180s。
7.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤3中对硅片进行氧化性清洗包括:用含有臭氧和盐酸的混合溶液或者含有氢氧化钾和双氧水的混合溶液对硅片进行氧化性清洗;
所述含有臭氧和盐酸的混合溶液中臭氧浓度为10PPM-20PPM、盐酸浓度为0.01%-0.5%;
所述含有臭氧、盐酸和双氧水的混合溶液中臭氧浓度为10PPM-20PPM、盐酸浓度为0.01%-0.5%、双氧水浓度为5%;
所述步骤4的混合溶液温度为室温、反应时间为90s-180s。
8.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤4的碱液中氢氧化钾浓度1%-10%;所述步骤4的碱液温度为60℃-80℃、反应时间为360s-900s。
9.根据权利要求1所述的制绒清洗方法,其特征在于,所述步骤6的碱液中氢氧化钾浓度为1%-10%、双氧水为5%-20%;所述步骤6的碱液温度为60℃-70℃、反应时间为90s-180s。
10.一种异质结电池,其特征在于,包括:采用如权利要求1至9中任一项所述的制绒清洗方法制得的硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造