[发明专利]微粗糙电解铜箔以及铜箔基板有效
| 申请号： | 202010552237.6 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN112118671B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 宋云兴;李思贤;许纮玮;高羣祐 | 申请（专利权）人： | 金居开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/09 | 分类号： | H05K1/09;H05K1/05;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮;张德斌 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粗糙 电解 铜箔 以及 | ||
1.一种微粗糙电解铜箔，其包含：
一微粗糙面，该微粗糙面具有多个无铜瘤区和多个排列铜瘤区，一部分的无铜瘤区分布于所述多个排列铜瘤区之间；
多个铜瘤，所述多个铜瘤是形成在该微粗糙面上且位于所述多个排列铜瘤区中，所述多个铜瘤不位于所述多个无铜瘤区中，且各排列铜瘤区中的所述多个铜瘤是沿着一方向排列形成在该微粗糙面上；
其中，在面积为120μm2的微粗糙面中，所述多个无铜瘤区的数量为5个以上，各无铜瘤区的面积大于或等于62500nm2，各排列铜瘤区的长度为300nm至2,500nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至300nm，各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3至50个。
2.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述多个无铜瘤区的数量为10个至100个。
3.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各无铜瘤区的面积为大于或等于250nm×250nm。
4.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各无铜瘤区的面积为大于或等于500nm×250nm，在面积为120μm2的微粗糙面中，面积大于或等于500nm×250nm的所述多个无铜瘤区的数量为10个至50个。
5.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的平均宽度为10nm至200nm。
6.如权利要求5所述的微粗糙电解铜箔，其中各排列铜瘤区中所述多个铜瘤的数量为3至10个。
7.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Rlr值为1.05至1.60。
8.如权利要求7所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Sdr为0.01至0.08。
9.如权利要求7所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Rlr值为1.10至1.30，该微粗糙面的Sdr为0.010至0.023。
10.如权利要求1所述的微粗糙电解铜箔，其中所述微粗糙面的Sdr为0.01至0.08。
11.一种铜箔基板，其包含如权利要求1至10中任一项所述的微粗糙电解铜箔及一基材，该基材与微粗糙电解铜箔压合。
12.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于4GHz的介入损失为-0.26dB/in至-0.32dB/in。
13.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于8GHz的介入损失为-0.41dB/in至-0.51dB/in。
14.如权利要求11所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于12.89GHz的介入损失为-0.57dB/in至-0.73dB/in。
15.如权利要求11至14中任一项所述的铜箔基板，其中该铜箔基板于16GHz的介入损失为-0.67dB/in至-0.83dB/in。
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