[发明专利]一种改善硅片倒角面粗糙度的方法在审
| 申请号： | 202010552929.0 | 申请日： | 2020-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN111805343A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卢运增;贺贤汉;洪漪;丁晓建 | 申请（专利权）人： | 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24D7/18 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 赵建敏 |
| 地址： | 200444 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 硅片 倒角 粗糙 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：对于硅片倒角为R型倒角，且要求研削后R型倒角的沟槽角度为A±0.5°的硅片；
采用砂轮研削时，设定粗研沟槽的角度为A+0.5°～A+2°，精研沟槽的角度为A-0.5°～A；
研削后的倒角面粗糙度Ra值在30um以下，Rz值在120um以下。
2.根据权利要求1所述的一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：采用砂轮研削时，设定粗研沟槽的角度为A+1°，精研沟槽的角度为A-0.5°～A；研削后的倒角面粗糙度Ra值在20um以下，Rz值在90um以下。
3.根据权利要求1所述的一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：采用砂轮研削时，设定粗研沟槽的角度为A+1°，精研沟槽的角度为A-0.5°；研削后的倒角面粗糙度Ra值在20um以下，Rz值在85um以下。
4.根据权利要求1所述的一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：砂轮研削，硅片外周研削速度为17～21mm/s。
5.根据权利要求1所述的一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：沟槽角度A为9°～13°。
6.根据权利要求1所述的一种改善硅片倒角面粗糙度的方法，其特征在于：倒角砂轮磨削硅片之前，使用油石修整倒角砂轮槽口。
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