[发明专利]一种改善硅片倒角面粗糙度的方法在审
申请号: | 202010552929.0 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN111805343A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 卢运增;贺贤汉;洪漪;丁晓建 | 申请(专利权)人: | 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 |
主分类号: | B24B9/06 | 分类号: | B24B9/06;B24D7/18 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 200444 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 硅片 倒角 粗糙 方法 | ||
本发明公开了一种改善硅片倒角面粗糙度的方法,对于硅片倒角为R型倒角,且要求研削后R型倒角的沟槽角度为A±0.5°的硅片;采用砂轮研削时,设定粗研沟槽的角度为A+0.5°~A+2°,精研沟槽的角度为A‑0.5°~A;研削后的倒角面粗糙度Ra值在30um以下,Rz值在120um以下;通过优化设计砂轮沟槽,设计粗研沟槽与精研沟槽的角度,通过粗研与精研沟槽之间的巧妙搭配与优化,从而改变粗研与精研的研削量,达到优化表面粗糙度的效果,在业界属于全新的尝试与创新。
技术领域
本发明涉及硅片倒角加工领域,具体涉及一种改善硅片倒角面粗糙度的方法。
背景技术
倒角面粗糙会导致硅片缘应力异常,同时也会增加边缘裂片的风险,在外延时倒角面粗糙对后道成膜质量都会产生不利影响,易诱发边缘滑移线、层错等严重问题。
目前业界R型倒角类型,线粗糙度Ra在30um以上,Rz在120um以上,传统砂轮的粗研沟槽与精研沟槽角度一致(传统硅片倒角方式为先进行粗研砂轮加工,再进行精研砂轮加工,粗研与精研沟槽的粒度不同。若沟槽角度不同,则研削量去除也不同),此种加工方式在进行精研加工时倒角面的去除量有限,从而大大影响了倒角面的质量。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供一种改善硅片表面粗糙度的方法,主要通过优化设计砂轮沟槽,设计粗研沟槽与精研沟槽的角度,通过粗研与精研沟槽之间的巧妙搭配与优化,从而改变粗研与精研的研削量,达到优化表面粗糙度的效果,在业界属于全新的尝试与创新。
本发明的技术方案是:一种改善硅片倒角面粗糙度的方法,对于硅片倒角为R型倒角,且要求研削后R型倒角的沟槽角度为A±0.5°的硅片;
采用砂轮研削时,设定粗研沟槽的角度为A+0.5°~A+2°,精研沟槽的角度为A-0.5°~A;
研削后的倒角面粗糙度Ra值在30um以下,Rz值在120um以下。
进一步的,采用砂轮研削时,设定粗研沟槽的角度为A+1°,精研沟槽的角度为A-0.5°~A;研削后的倒角面粗糙度Ra值在20um以下,Rz值在90um以下。
进一步的,采用砂轮研削时,设定粗研沟槽的角度为A+1°,精研沟槽的角度为A-0.5°;研削后的倒角面粗糙度Ra值在20um以下,Rz值在85um以下。
进一步的,砂轮研削,硅片外周研削速度为17~21mm/s。
进一步的,沟槽角度A为9°~13°。
进一步的,倒角砂轮磨削硅片之前,使用油石修整倒角砂轮槽口。
本发明的有益效果是:此专利通过调整粗研与精研的角度,适度降低粗研的研削量,适度增加精研的表面去除量,从而提高硅片倒角面的质量,改善倒角面粗糙度,在业界属于全新的尝试与创新。但如果无限增大粗研角度,降低粗研研削量而增大精研研削量的话,会增加精研研削的负担,对于砂轮寿命以及表面粗糙度反而起到相反的作用,所以此专利极具实用性与创新性,通过粗研与精研沟槽角度的配合,对沟槽角度进行优化,使倒角面粗糙度降到最低。
通过此专利可以将粗糙度Ra值降低到30um甚至20um以下,Rz值降低到120um甚至90um以下,有效的降低了因倒角面粗糙而带来的边缘应力异常、边缘裂片、边缘滑移线、层错等异常的风险。
通过调整沟槽角度,大大的改善了倒角面粗糙度,降低了外延后的裂片、滑移线、层错等异常的不良率,以目前40万片/月产能来计算,平均预计每月节约成本3W/月。
此专利极具实用性,不仅提高了R型产品的倒角面质量,提高了良率。
附图说明
图1为粗研沟槽示意图;
图2为精研沟槽示意图;
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