[发明专利]半导体存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

存储器块，包括多个页；

外围电路，被配置为在对所述存储器块的写入操作中对所述存储器块执行第一擦除操作、编程操作和第二擦除操作；以及

控制逻辑，被配置为控制所述外围电路以执行所述写入操作；

其中所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，以在所述第一擦除操作中，将所述存储器块中包括的多个存储器单元擦除到具有比目标擦除状态的阈值电压更高的阈值电压的预擦除状态，并且控制所述外围电路，以在所述第二擦除操作中，将所述多个存储器单元之中的一些存储器单元擦除到所述目标擦除状态。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述存储器块被配置为处于在执行所述第一擦除操作之前存储有效数据的状态。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述外围电路被配置为通过将第一擦除电压施加到与所述存储器块耦合的源极线，使用栅极感应漏极漏电流(GIDL)擦除方法来执行所述第一擦除操作。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器，其中所述外围电路被配置为通过将第二擦除电压施加到与所述存储器块耦合的位线之中的选择的位线，使用所述GIDL擦除方法来执行所述第二擦除操作。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器，其中在所述第二擦除操作中，所述外围电路被配置为：

将所述第二擦除电压施加到所述位线之中的与待被擦除到所述目标擦除状态的所述一些存储器单元相对应的所述选择的位线；

将擦除操作电压施加到与所述存储器块耦合的漏极选择线；以及

将接地电压施加到与所述一些存储器单元相对应的字线。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中在所述第二擦除操作中，所述外围电路被配置为将与所述存储器块耦合的所述源极线和源极选择线控制为浮置状态。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器，其中在所述第二擦除操作中，所述外围电路被配置将通过电压施加到所述位线之中除了所述选择的位线之外的其他位线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中所述其他位线是与在所述编程操作中被编程为多个编程状态的存储器单元相对应的位线。

9.根据权利要求4所述的半导体存储器，其中所述第二擦除电压是高于所述第一擦除电压的电压。

10.根据权利要求4所述的半导体存储器，其中所述外围电路被配置为以块为单位执行所述第一擦除操作，并且以页为单位执行所述编程操作和所述第二擦除操作。

11.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中所述外围电路被配置为在执行所述第一擦除操作之后：

对所述多个页之中的选择的页顺序地执行所述编程操作和所述第二擦除操作；以及

对下一页顺序地执行所述编程操作和所述第二擦除操作。

12.一种用于操作半导体存储器的方法，所述方法包括：

对包括多个页的存储器块执行第一擦除操作；

对所述多个页之中的选择的页执行编程操作；以及

对所述选择的页中包括的存储器单元之中的一些存储器单元执行第二擦除操作，

其中在所述第一擦除操作中，将所述存储器块中包括的存储器单元擦除到预擦除状态，并且在所述第二擦除操作中，将所述一些存储器单元擦除到目标擦除状态。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述预擦除状态具有的阈值电压分布高于所述目标擦除状态的阈值电压分布。