[发明专利]半导体存储器及其操作方法

说明书

提供了半导体存储器及其操作方法。一种半导体存储器包括：存储器块，包括多个页；外围电路，用于在对存储器块的写入操作中对存储器块执行第一擦除操作、编程操作和第二擦除操作；以及控制逻辑，用于控制外围电路以执行写入操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在第一擦除操作中，将存储器块中包括的多个存储器单元擦除到具有比目标擦除状态的阈值电压更高的阈值电压的预擦除状态，并且控制外围电路以在第二擦除操作中，将多个存储器单元之中的一些存储器单元擦除到目标擦除状态。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月2日提交的韩国专利申请号10-2019-0122538的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开一般地涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体存储器及其操作方法。

背景技术

最近的计算机环境的范例已变成可以在任何地方和任何时间使用计算系统的普适计算环境。这促进了诸如移动电话、数码相机、笔记本计算机等的便携式电子装置的越来越多的使用。这样的便携式电子装置通常可以包括使用半导体存储器装置(即，数据存储装置)的存储器系统。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。

由于没有机械驱动部件，使用半导体存储器装置的数据存储装置具有优异的稳定性和耐久性、高信息访问速度和低功耗。在具有这种优点的存储器系统的示例中，数据存储装置包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储器卡、固态硬盘(SSD)等。

半导体存储器装置通常被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置具有相对较慢的写入和读取速度，但是即使在供电中断时也保留所存储的数据。因此，无论是否供电，非易失性存储器装置都用于存储所保留的数据。

易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除和可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存被分类为NOR型闪存，也被分类为NAND型闪存。

发明内容

根据本公开的一个实施例，一种半导体存储器包括：存储器块，包括多个页；外围电路，被配置为在对存储器块的写入操作中对存储器块执行第一擦除操作、编程操作和第二擦除操作；控制逻辑，被配置为控制外围电路以执行写入操作。控制逻辑控制外围电路以在第一擦除操作中，将存储器块中包括的多个存储器单元擦除到具有比目标擦除状态的阈值电压更高的阈值电压的预擦除状态，并且控制外围电路以在第二擦除操作中，将多个存储器单元之中的一些存储器单元擦除到目标擦除状态。

根据本公开的另一实施例，一种用于操作半导体存储器的方法包括：对包括多个页的存储器块执行第一擦除操作；对多个页之中的选择的页执行编程操作；以及对选择的页中包括的存储器单元之中的一些存储器单元执行第二擦除操作。存储器块中包括的存储器单元在第一擦除操作中被擦除到预擦除状态，并且一些存储器单元在第二擦除操作中被擦除到目标擦除状态。

根据本公开的又一实施例，一种用于操作半导体存储器的方法包括：提供包括多个页的存储器块，其中多个页中的每一个包括被编程到预擦除状态和多个编程状态的存储器单元；将擦除电压施加到多个页之中的选择的页中包括的存储器单元之中与预擦除状态相对应的第一存储器单元耦合的第一位线；将擦除操作电压施加到存储器块的漏极选择线；以及通过将接地电压施加到与选择的页相对应的选择的字线，将选择的页中包括的第一存储器单元擦除到目标擦除状态，目标擦除状态具有的阈值电压分布低于预擦除状态的阈值电压分布。

附图说明