[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

布线基板；

第一元件，设于所述布线基板的第一面上；

第一树脂层，覆盖所述第一元件；

至少一个第二元件，比所述第一元件大，并配置为在所述第一树脂层上重叠于所述第一元件；

第一部件，在所述第一树脂层的端部，所述第一部件的至少一端位于所述第一树脂层内，所述第一部件的上表面设于比所述布线基板的所述第一面高的位置，所述第一部件的线膨胀系数低于所述第一树脂层的线膨胀系数；以及

封固树脂，在所述布线基板的所述第一面上覆盖所述第二元件以及所述第一树脂层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件的厚度为，从与所述第一元件的厚度大致相等起到所述第一树脂层的厚度为止的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，

所述第一部件设于第一位置，所述第一位置是从与所述第二元件的外缘对应的所述第一面的位置起向所述第一元件移动了与所述第一树脂层的厚度大致相同的距离后的位置。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述第一部件的一端位于所述第一位置与所述第一元件之间的所述第一树脂层内，

所述第一部件的另一端位于所述第一位置与所述第一树脂层的外缘之间的该第一树脂层内。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

所述第一部件的一端位于所述第一位置与所述第一元件之间的所述第一树脂层内，

所述第一部件的另一端从所述第一树脂层的外缘向该第一树脂层的外侧伸出。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

在所述第一部件中使用了与所述布线基板的表面所使用的绝缘层相同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件为硅。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第二元件为板状的隔件。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第二元件为存储器芯片。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件沿所述第二元件的外缘连续地设置。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件沿所述第二元件的外缘断续地设置。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件仅设于所述第二元件的角部。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第一部件为大致圆柱状。

14.一种半导体装置的制造方法，具备如下步骤：

在包含多个布线层和覆盖该布线层的绝缘层在内的布线基板的第一面的一部分形成第一部件，该第一部件设置至比所述布线基板的所述第一面高的位置，

在所述布线基板的第一面上粘接第一元件，

在所述第一元件上载置第一树脂层，

将比所述第一元件大的至少一个第二元件以与所述第一元件重叠的方式载置在所述第一树脂层上，

在所述布线基板与所述第二元件之间将所述第一树脂层加热压缩而将所述第一元件以及所述第一部件的至少一端埋入该第一树脂层内，

在所述布线基板的所述第一面上，利用封固树脂覆盖所述第二元件以及所述第一树脂层。