[发明专利]测试结构，晶圆及测试结构的制作方法

权利要求书

1.一种集成电路的测试结构，所述测试结构用于检测所述集成电路中寄生结的击穿特性，所述测试结构包括：

多组第一掺杂指；

多组第二掺杂指；以及

掺杂区域，所述多组第二掺杂指位于所述掺杂区域上，

其中，至少一组所述第一掺杂指和至少一组所述第二掺杂指设置为沿第一方向的交叉指型配置，至少一组所述第一掺杂指和至少一组所述第二掺杂指设置为沿第二方向的交叉指型配置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

在每个所述交叉指型配置中，所述第一掺杂指、所述掺杂区域和所述第二掺杂指形成一测试结。

2.根据权利要求1所述的测试结构，还包括：多个隔离结构，其中，所述多个隔离结构分别围绕所述多组第一掺杂指，或者所述多个隔离结构分别设置在所述多组第一掺杂指和所述多组第二掺杂指之间。

3.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述多组第一掺杂指和所述多组第二掺杂指具有相同的导电类型。

4.根据权利要求3所述的测试结构，其中，所述掺杂区域具有与所述多组第一掺杂指和所述多组第二掺杂指相反的导电类型。

5.根据权利要求3所述的测试结构，其中，所述多组第一掺杂指与所述多组第二掺杂指的掺杂浓度不同。

6.根据权利要求1所述的测试结构，还包括形成在所述多组第一掺杂指中的多组第三掺杂指。

7.根据权利要求6所述的测试结构，其中，所述多组第一掺杂指，所述多组第二掺杂指，和所述多组第三掺杂指具有相同的导电类型。

8.根据权利要求6所述的测试结构，其中，所述多组第三掺杂指与所述多组第二掺杂指的掺杂浓度相同。

9.根据权利要求6所述的测试结构，还包括：多个隔离结构，其中，所述多个隔离结构分别设置在所述多组第一掺杂指和所述多组第二掺杂指之间。

10.根据权利要求9所述的测试结构，其中，所述第三掺杂指紧邻所述隔离结构。

11.根据权利要求9所述的测试结构，其中，所述第三掺杂指与所述隔离结构分开。

12.根据权利要求1所述的测试结构，其中，所述多组第一掺杂指，所述掺杂区域以及所述多组第二掺杂指组成多个测试结，所述测试结构的击穿特性基于所述多个测试结的击穿特性共同确定。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的测试结构，还包括：第一导线和第二导线，其中，所述第一导线连接所述多组第一掺杂指，所述第二导线连接所述多组第二掺杂指。

14.一种晶圆，包括芯片阵列和权利要求1-13中任一项所述的测试结构。

15.一种测试结构的制作方法，包括：

形成多组第一掺杂指；

形成掺杂区域；以及

在掺杂区域中形成多组第二掺杂指，

其中，至少一组所述第一掺杂指和至少一组所述第二掺杂指设置为沿第一方向的交叉指型配置，至少一组所述第一掺杂指和至少一组所述第二掺杂指设置为沿第二方向的交叉指型配置，所述第一方向和所述第二方向垂直；

在每个所述交叉指型配置中，所述第一掺杂指、所述掺杂区域和所述第二掺杂指形成一测试结。

16.根据权利要求15所述的测试结构的制作方法，还包括：形成多个隔离结构，其中，所述多个隔离结构分别设置在所述多组第一掺杂指和所述多组第二掺杂指之间。

17.根据权利要求15或者16所述的测试结构的制作方法，还包括：在所述多组第一掺杂指中形成多组第三掺杂指。

18.根据权利要求17所述的测试结构的制作方法，其中，所述多组第三掺杂指和所述多组第二掺杂指通过同一离子注入工艺形成。