[发明专利]一种封装晶圆级芯片的方法

权利要求书

1.一种封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，包括：

获取目标封装晶圆中目标锡球的目标半径和目标球高；

根据所述目标半径、所述目标球高、第一公式、第二公式以及第三公式，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径，其中，每个制备锡球的半径均相等；

根据所述目标半径、所述目标球高以及第四公式，确定目标球下金属层UBM的目标尺寸，其中，所述目标球下金属层为目标封装晶圆中目标锡球下方的金属层；

第一公式为：

第二公式为：V＝nV₁

第三公式为：

第四公式为：

其中，V为目标封装晶圆中目标锡球的目标体积，R为目标封装晶圆中目标锡球的目标半径，H为目标封装晶圆中目标锡球的目标球高，n为制备锡球的数量，V1为单个制备锡球的体积，r为制备锡球的半径，LUBM为目标球下金属层UBM的目标尺寸；

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面形成有多个芯片焊盘；

形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一表面以及所述芯片焊盘的表面；

开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘；

形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述导电通孔的内表面以及所述芯片焊盘的暴露面；

在所述金属种子层上方形成具有所述目标尺寸的所述目标球下金属层UBM；所述目标球下金属层UBM用于限制所述制备锡球回流后得到的所述目标锡球的半径与所述目标半径匹配，以及限制所述制备锡球回流后得到的所述目标锡球的球高于所述目标球高匹配；

在所述目标球下金属层UBM上放置所述制备锡球，对所述制备锡球进行回流处理，形成所述目标锡球，其中所放置的所述制备锡球的数量与所确定所述制备锡球的数量相等，所述放置的所述制备锡球的半径与所确定的所述制备锡球的半径相等。

2.根据权利要求1所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述确定制备锡球的数量及制备锡球的半径包括：

获取目标封装晶圆中目标锡球的目标体积；

根据所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径，其中，每个制备锡球的半径均相等。

3.根据权利要求2所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述根据所述目标半径、所述目标球高、第一公式、第二公式以及第三公式，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径包括：

根据所述目标半径、目标球高以及第一公式，确定所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积。

4.根据权利要求2所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述根据所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径包括：

将所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积作为所述制备锡球的总体积；

根据所述制备锡球的总体积和第二公式，确定所述制备锡球的数量；

根据所述制备锡球的数量和第三公式，确定所述制备锡球的半径。

5.根据权利要求1所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述确定目标球下金属层UBM的目标尺寸包括：

根据所述目标半径、目标球高以及第四公式，确定所述目标球下金属层UBM的目标尺寸。

6.根据权利要求1所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述第一保护层的材料为二氧化硅或者氮化硅。

7.根据权利要求1所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述待封装晶圆的第二表面覆盖有背金层，所述第二表面为与所述第一表面相背的面。

8.根据权利要求1所述的封装晶圆级芯片的方法，其特征在于，所述开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘包括：

在所述第一保护层上开设导电通孔，所述导电通孔穿过所述第一保护层，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘。