[发明专利]一种封装晶圆级芯片的方法

说明书

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种封装晶圆级芯片的方法，包括确定制备锡球的数量及制备锡球的半径；确定目标封装晶圆中目标锡球的目标球下金属层UBM的目标尺寸；提供形成有芯片焊盘的待封装晶圆，在待封装晶圆上形成第一保护层；开设导电通孔，通过导电通孔暴露出芯片焊盘；形成金属种子层；在金属种子层上方形成具有目标尺寸的UBM；在UBM上放置所确定的制备锡球，对制备锡球进行回流处理，形成目标锡球。本发明基于确定的UBM尺寸，通过对所确定的满足回流个数和回流半径制备锡球进行合并回流处理，从而得到满足用户需求的锡球尺寸。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，具体涉及一种封装晶圆级芯片的方法。

背景技术

智能电子设备的普及推动着晶圆级芯片封装技术的快速发展。目前，晶圆级芯片封装技术已广泛应用于闪速存储器、EEPROM、高速DRAM、SRAM、LCD驱动器、射频器件、逻辑器件、电源/电池管理器件和模拟器件(稳压器、温度传感器、控制器、运算放大器、功率放大器)等智能芯片封装领域。

目前，因为常规锡球的尺寸是确定了的，因此，在晶圆级芯片封装的过程中，根据市场上的常规尺寸的锡球，依据锡球回流模拟公式所得出回流后的锡球尺寸受限制比较大，只能得出某个范围内的锡球尺寸，往往无法满足客户指定的锡球尺寸的要求，因此，如何获取非标尺寸的锡球，以满足不同客户对不同尺寸锡球的需求是目前待解决的问题之一。

发明内容

本发明要解决的技术问题是现有技术中的锡球无法满足客户指定锡球尺寸要求的问题。

为解决上述技术问题，本发明公开了一种封装晶圆级芯片的方法，包括：

确定制备锡球的数量及制备锡球的半径，其中，每个制备锡球的半径均相等；

确定目标球下金属层UBM的目标尺寸，其中，所述目标球下金属层为目标封装晶圆中目标锡球下方的金属层；

提供待封装晶圆，所述待封装晶圆的第一表面形成有多个芯片焊盘；

形成第一保护层，所述第一保护层至少覆盖所述第一表面以及所述芯片焊盘的表面；

开设导电通孔，通过所述导电通孔暴露出所述芯片焊盘；

形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述导电通孔的内表面以及所述芯片焊盘的暴露面；

在所述金属种子层上方形成具有所述目标尺寸的所述目标球下金属层UBM；

在所述目标球下金属层UBM上放置所述制备锡球，对所述制备锡球进行回流处理，形成所述目标锡球，其中所放置的所述制备锡球的数量与所确定所述制备锡球的数量相等，所述放置的所述制备锡球的半径与所确定的所述制备锡球的半径相等。

具体的，所述确定制备锡球的数量及制备锡球的半径包括：

获取目标封装晶圆中目标锡球的目标体积；

根据所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径，其中，每个制备锡球的半径均相等。

具体的，所述获取所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积包括：

获取所述目标封装晶圆中目标锡球的目标半径和目标球高；

根据所述目标半径、目标球高以及第一公式，确定所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积。

具体的，所述根据所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积，确定制备锡球的数量及制备锡球的半径包括：

将所述目标封装晶圆中目标锡球的目标体积作为所述制备锡球的总体积；

根据所述制备锡球的总体积和第二公式，确定所述制备锡球的数量；