[发明专利]具有气隙介电质的半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基层；

多个导线，位于该基层上；

多个介电柱，位于该基层上，且与所述多个导线分离；以及

一密封层，具有多个密封盖，位于所述多个导线和所述多个介电柱之间，其中所述多个密封盖与所述多个导线和所述多个介电柱接触，并且与该基层分离。

2.如权利要求1所述的半导体结构，还包括多个气隙，分别对应地设置于所述多个导线和所述多个介电柱之间。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述多个密封盖占据所述多个气隙的顶部。

4.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述多个密封盖的一底端低于所述多个导线的一顶端。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其中所述多个密封盖的一底端低于所述多个介电柱的一顶端。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其中该气隙的一底部宽度大于该气隙的一顶部宽度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个介电柱的一顶端低于所述多个导线的一顶端。

8.一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：

提供一基层；

形成多个导线于该基层上；

形成多个间隔物于该基层上，其中每一条所述多个导线的侧面为所述多个间隔物；

形成多个介电柱于该基层上及所述多个间隔物之间；

移除所述多个间隔物；以及

形成多个密封盖于所述多个导线和所述多个介电柱之间，其中所述多个密封盖与所述多个导线和所述多个介电柱接触，并且与该基层分离。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，还包括在形成所述多个导线于该基层上的步骤前，形成多个插塞于该基层中，其中所述多个导线与所述多个插塞连接。

10.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中形成所述多个导线于该基层上的步骤包括：

形成一导电层于该基层上；以及

图案化该导电层以形成所述多个导线。

11.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中在形成所述多个介电柱之后，所述多个介电柱的一顶端低于所述多个导线的一顶端，且暴露出所述多个间隔物的一顶部分。

12.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中所述多个间隔物包括氧化硅。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其中移除所述多个间隔物的步骤包括以蒸气氢氟酸蚀刻所述多个间隔物。

14.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中形成所述多个间隔物的步骤包括：

形成一间隔物层于该基层和所述多个导线上；以及

部分地移除该间隔物层以形成所述多个间隔物。

15.如权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其中形成该间隔物层的步骤包括化学气相沉积。

16.如权利要求14所述的半导体结构的制备方法，其中部分地移除该间隔物层的步骤包括非等向蚀刻。

17.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中所述多个介电柱包括氢倍半硅氧烷、苯并环丁烯、聚亚芳基醚或氧化硅。

18.如权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其中形成所述多个介电柱的步骤包括旋转涂布。