[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

堆叠结构，包括单元区域和接触区域；

沟道结构，穿透所述堆叠结构的所述单元区域；

沟槽，穿透所述堆叠结构的所述接触区域以到达不同深度；以及

停止结构，穿透所述堆叠结构的所述接触区域，所述停止结构位于所述沟槽之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述堆叠结构的位于所述沟槽之间并且位于所述接触区域内的区域具有均匀的高度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止结构包括：

伪沟道层，穿透所述堆叠结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述停止结构包括：

伪存储器层，环绕所述伪沟道层的侧壁；以及

伪间隙填充层，位于所述伪沟道层中。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述伪沟道层的侧壁包括至少一个转折点。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止结构包括：

接触插塞，穿透所述堆叠结构；以及

绝缘间隔件，环绕所述接触插塞的侧壁。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述沟槽中的绝缘图案。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述绝缘图案的上表面和所述停止结构的上表面位于基本相同的水平。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述停止结构穿透所述堆叠结构以到达部分深度。

10.一种半导体器件，包括：

第一子堆叠结构；

第二子堆叠结构，位于所述第一子堆叠结构上；

沟道结构，包括穿透所述第一子堆叠结构的第一子沟道结构和穿透所述第二子堆叠结构的第二子沟道结构；

沟槽，穿透所述第二子堆叠结构以到达不同深度；以及

停止结构，穿透所述第二子堆叠结构，所述停止结构位于所述沟槽之间。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二子堆叠结构的位于所述沟槽之间的区域具有均匀的高度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述停止结构和所述第二子沟道结构具有基本相同的高度。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述停止结构包括：

伪沟道层，穿透所述第二子堆叠结构；

伪存储器层，环绕所述伪沟道层的侧壁；以及

伪间隙填充层，位于所述伪沟道层中。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述停止结构包括：

接触插塞，穿透所述第二子堆叠结构；以及

绝缘间隔件，环绕所述接触插塞的侧壁。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括形成在所述沟槽中的绝缘图案。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中所述绝缘图案的上表面和所述停止结构的上表面位于基本相同的水平。

17.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成包括单元区域和接触区域的堆叠结构；

形成穿透所述堆叠结构的所述单元区域的沟道结构；

形成穿透所述堆叠结构的所述接触区域的停止结构；

形成穿透所述堆叠结构的所述接触区域以到达不同深度的沟槽，所述沟槽位于所述停止结构之间；

在包括所述沟槽的所述堆叠结构上形成绝缘材料；以及

使用所述停止结构，通过使所述绝缘材料平坦化来在所述沟槽中形成绝缘图案。