[发明专利]一种曝光机的曝光方法及显示基板有效
申请号: | 202010562059.5 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN111596531B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 徐攀;张大成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曝光 方法 显示 | ||
提供了一种曝光机的曝光方法及显示基板,该曝光机的曝光方法应用于待曝光显示基板,所述待曝光显示基板包括阵列排布的多个子像素,所述曝光机的曝光方法包括:将玻璃基板分成至少一个曝光区域;将所述待曝光显示基板放置在所述玻璃基板上;将所述待曝光显示基板上相同的子像素放置在同一个曝光区域中。
技术领域
本发明涉及触控技术领域,具体涉及一种曝光机的曝光方法及显示基板。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称:OLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低功耗、宽色域、轻薄化、可异形化等优点。随着显示技术的不断发展,OLED技术越来越多的应用于柔性显示和透明显示中。
制作薄膜晶体管(Thin Film Transis,简称:TFT)的核心技术是光刻工艺。一般地,一道光刻工艺子流程使用一张掩膜板,包括:清洗、成膜、涂布、曝光、显影、PR(光刻胶)剥离、刻蚀、检查等工艺。其中,曝光工艺可以直接影响TFT的关键尺寸。
传统的光刻工艺是将设计版图图形转变为实体掩模板,再通过紫外光照射到掩模板上,透过掩模板图形缝隙的紫外光与光刻胶发生光学反应,从而将掩模板上的图形转移到玻璃基板上。随着技术的发展,目前多采用数字光刻工艺。数字光刻工艺是将设计版图图形转变为虚拟掩模板,通过数字曝光机将虚拟掩模板上的图形转移到玻璃基板上。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种曝光机的曝光方法及显示基板,减小曝光机的计算量,缩短曝光机的曝光时间。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种曝光机的曝光方法,应用于待曝光显示基板,所述待曝光显示基板包括阵列排布的多个子像素,所述曝光机的曝光方法包括:
将玻璃基板分成至少一个曝光区域;
将所述待曝光显示基板放置在所述玻璃基板上;
将所述待曝光显示基板上相同的子像素放置在同一个曝光区域中。
在一些可能的实现方式中,同一个所述曝光区域中,相邻所述待曝光显示基板的子像素沿着所述曝光机的扫描方向对齐。
在一些可能的实现方式中,所述待曝光显示基板还包括集成电路接口,所述曝光机的曝光方法还包括:
将所述待曝光显示基板上相同的集成电路接口放置在同一个曝光区域中。
在一些可能的实现方式中,同一个所述曝光区域中,相邻所述待曝光显示基板的集成电路接口沿着所述曝光机的扫描方向对齐。
在一些可能的实现方式中,所述待曝光显示基板还包括将所述子像素与所述集成电路接口连接的引线,所述曝光机的曝光方法还包括:
将所述待曝光显示基板上相同的引线放置在同一个曝光区域中。
在一些可能的实现方式中,同一个所述曝光区域中,相邻所述待曝光显示基板的引线沿着所述曝光机的扫描方向对齐。
在一些可能的实现方式中,所述待曝光显示基板包括第一子显示基板和第二子显示基板,所述第一子显示基板的子像素和所述第二子显示基板的子像素相同,所述第一子显示基板的子像素密度和所述第二子显示基板的子像素密度不同,所述第一子显示基板与所述第二子显示基板相同的子像素放置在同一个曝光区域中。
在一些可能的实现方式中,所述待曝光显示基板包括第一子显示基板和第二子显示基板,所述第一子显示基板的子像素和所述第二子显示基板的子像素相同,所述第一子显示基板和所述第二子显示基板的尺寸不同,所述第一子显示基板与所述第二子显示基板相同的子像素放置在同一个曝光区域中。
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