[发明专利]用于刻蚀的视窗观察装置和刻蚀设备

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于刻蚀的视窗观察装置和刻蚀设备。其中用于刻蚀的视窗观察装置包括观察探头，观察探头包括：外壁，外壁包括探测端；在外壁中开设有接线槽，接线槽的一端延伸至外壁的探测端，另一端向远离探测端的方向延伸；接线槽中设有内部连线，内部连线的一端连接管道摄像头，另一端连接蓝牙摄像主机；管道摄像头位于外壁的探测端，蓝牙摄像主机设于观察探头外。其中刻蚀设备包括反应腔，反应腔中设有载片台，载片台包括用于承载晶片的承载面；刻蚀喷嘴，刻蚀喷嘴设置在面向承载面的反应腔侧壁上，刻蚀喷嘴中形成光通路，光通路的一端连通反应腔，另一端密封有视窗；在视窗上设有用于刻蚀的视窗观察装置。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于刻蚀的视窗观察装置和刻蚀设备。

背景技术

刻蚀是半导体制造工艺中至关重要的一步，是半导体器件图形化的主要工艺。目前，刻蚀工艺是在反应腔中进行，为了观察到位于反应腔中的部件和晶片的状况，通常在位于该反应腔顶部的腔壁上，开设有用于观察反应腔内部情况的视窗。

但是，在反应腔工作时，视窗的内壁上会沉积有反应腔中产生的聚合物，一旦视窗内壁上的聚合物沉积不牢或沉积过多则会发生脱落，导致脱落的聚合物掉落在晶片表面，进而引起晶片缺陷的问题。

相关技术在观察视窗内壁上的聚合物情况时，通常需要先停止反应腔中的制程，并拆除反应腔的屏蔽罩才能进行视窗观察，并在观察结束后需要重新校准复位，严重影响生产效率。

发明内容

本申请提供了一种用于刻蚀的视窗观察装置和刻蚀设备，可以解决相关技术中观察沉积聚合物导致生产效率降低的问题。

第一方面，本申请实施例提供一种用于刻蚀的视窗观察装置，所述用于刻蚀的视窗观察装置包括观察探头，所述观察探头包括：

外壁，所述外壁包括探测端；

在所述外壁中开设有接线槽，所述接线槽的一端延伸至所述外壁的探测端，另一端向远离所述探测端的方向延伸；

所述接线槽中设有内部连线，所述内部连线的一端连接管道摄像头，另一端连接蓝牙摄像主机；所述管道摄像头位于所述外壁的探测端，所述蓝牙摄像主机设于所述观察探头外。

可选地，所述用于刻蚀的视窗观察装置设于视窗的上方。

可选地，所述管道摄像头对准所述视窗，用于获取所述视窗表面的聚合物图像。

可选地，所述蓝牙摄像主机用于接收所述管道摄像头传送的所述聚合物图像。

可选地，所述观察探头还包括由所述外壁包围形成的光谱收发腔，所述光谱收发腔用于发送激光至所述视窗，或采集反射进入所述视窗的散射光。

第二方面，本申请实施例提供一种刻蚀设备，所述刻蚀设备包括：

反应腔，所述反应腔中设有载片台，所述载片台包括用于承载晶片的承载面；

刻蚀喷嘴，所述刻蚀喷嘴设置在面向所述承载面的所述反应腔侧壁上，所述刻蚀喷嘴中形成光通路，所述光通路的一端连通所述反应腔，另一端密封有视窗；

在所述视窗上设有如本申请第一方面所述的用于刻蚀的视窗观察装置。

可选地，所述观察探头还包括由所述外壁包围形成的光谱收发腔，所述光谱收发腔用于发送激光至所述视窗，或采集反射进入所述视窗的散射光；

所述光谱收发腔发送到所述视窗的激光，从所述视窗所在位置进入所述光通路，照射到位于所述承载面上的晶片，经所述晶片上介质层反射形成散射光，所述散射光通过所述光通路，从所述视窗出射进入所述光谱收发腔。

可选地，在所述反应腔的外壁上设有至少一个能够产生磁场的磁感应线圈。