[发明专利]三维存储器及制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供衬底，形成覆盖所述衬底的牺牲层；

形成覆盖所述牺牲层的叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构以及所述牺牲层的NAND串，所述NAND串包括沟道层、以及设于所述沟道层周缘的存储器层；

形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙；

去除所述牺牲层以形成空隙；

去除位于所述空隙内的部分所述存储器层，以露出所述沟道层；

在所述空隙内形成第一半导体材料层，以使所述第一半导体材料层填充部分所述空隙；

形成覆盖所述第一半导体材料层的绝缘层，所述绝缘层设于所述第一半导体材料层内；

形成覆盖所述绝缘层的替换层。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“在所述空隙内形成第一半导体材料层”包括：

在所述衬底靠近所述叠层结构的一侧表面，所述沟道层上，以及所述叠层结构靠近所述衬底的一侧表面均形成第一半导体材料层。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“提供衬底，形成覆盖所述衬底的牺牲层”包括：

提供衬底，所述衬底上设有凹槽；

形成覆盖所述衬底与所述凹槽的牺牲层。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙”包括：

形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙，并使所述栅缝隙靠近所述衬底的开口与所述叠层结构靠近所述衬底的表面齐平。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，“形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙”包括：

形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙，并使所述栅缝隙在所述衬底上的正投影位于所述凹槽内。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在“形成覆盖所述绝缘层的替换层”之后，还包括：

去除所述凹槽内的至少部分所述替换层、至少部分所述绝缘层、以及至少部分所述第一半导体材料层，以露出所述衬底；

在所述凹槽内形成第二半导体材料层。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，“在所述凹槽内形成第二半导体材料层”包括：

在所述凹槽内形成第二半导体材料层，并使所述第二半导体材料层靠近所述叠层结构的一侧表面与所述形成表面齐平。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，“提供衬底，形成覆盖所述衬底的牺牲层”包括：

提供衬底；

形成覆盖所述衬底的第一保护层；

形成覆盖所述第一保护层的牺牲层。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在“形成贯穿所述叠层结构的栅缝隙”之后，还包括：

形成覆盖所述栅缝隙侧壁的第二保护层；其中，所述第二保护层包括依次沿远离所述栅缝隙侧壁方向且层叠设置的第一子保护层、第二子保护层、第三子保护层、以及第四子保护层。

10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在“去除所述牺牲层以形成空隙”之前，还包括：

去除靠近所述牺牲层一侧的至少部分所述第二保护层，以使所述牺牲层露出。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述存储器层包括依次沿远离所述沟道层方向且层叠设置的隧穿层、存储层、以及阻挡层；在“去除所述牺牲层以形成空隙”之后，还包括：

去除所述第一保护层与所述阻挡层。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，“去除位于所述空隙内的部分所述存储器层”包括：

去除所述第四子保护层；

去除所述第三子保护层与部分所述存储层；

去除部分所述隧穿层以露出所述沟道层，去除部分所述第二子保护层。