[发明专利]周界沟槽形成和划界蚀刻去层

权利要求书

1.一种用于样品制备的装置，包括：

蚀刻机；和

与所述蚀刻机耦合的控制器，所述控制器被配置为：

通过使所述蚀刻机蚀刻样品的感兴趣区域周围的沟槽，将所述样品的所述感兴趣区域与所述样品的周围区域电隔离，蚀刻的沟槽暴露所述感兴趣区域的侧表面；且

通过使导电材料被涂覆在所述沟槽所暴露的所述侧表面上，将所述样品的两个或更多导电层电耦合。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述蚀刻机包括离子铣削机。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述离子铣削机产生Ga+或Xe+离子束。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，通过铣削来进行对所述沟槽的蚀刻，并且作为对所述沟槽的铣削的副产物来进行所述电耦合。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述沟槽的宽度在0.2 -5μm的范围内。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括与所述控制器耦合的涂覆机，其中所述涂覆机是离子束辅助涂覆机，并且通过所述离子束辅助涂覆机进行所述电耦合。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置为使所述感兴趣区域周围的所述沟槽被蚀刻至至少所述样品的导电基层的深度，并且所述两个或更多导电层包括所述基层和所述基层上方的导电层。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述沟槽具有在范围5-500μm内的横向内部尺寸，或者在1-10μm的范围内的深度。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述沟槽在所述感兴趣区域周围形成封闭路径。

10.一种用于样品制备的方法，包括：

通过在样品的感兴趣区域周围铣削沟槽至至少样品的基层的深度，将所述样品的所述感兴趣区域与所述样品的周围区域电隔离，蚀刻的沟槽暴露所述感兴趣区域的侧表面；和

通过使导电材料被涂覆在所述沟槽所暴露的所述侧表面上，将所述样品的两个或更多导电层电耦合。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述涂覆将所述基层电耦合至所述基层上方的一个或多个导电层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述样品包括：堆叠式电子结构、垂直闪存结构或3D-NAND堆栈。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述侧表面暴露出所述样品的多层，其中至少一层是多晶硅层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述电隔离包括离子束铣削。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述涂覆是所述离子束铣削的副产物。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述涂覆包括离子辅助涂覆或离子辅助化学气相沉积。

17.一种用于样品制备的装置，包括：

蚀刻机；和

与所述蚀刻机耦合的控制器，所述控制器被配置为：

通过使所述蚀刻机蚀刻样品的感兴趣区域周围的沟槽，将所述样品的所述感兴趣区域与所述样品的周围区域电隔离，蚀刻的沟槽在所述感兴趣区域周围形成封闭路径并且暴露所述感兴趣区域的侧表面；

通过使导电材料被涂覆在所述沟槽所暴露的所述侧表面上，将所述样品的两个或更多导电层电耦合；

在所述样品的所述两个或更多导电层被电耦合之后，使所述蚀刻机进行所述感兴趣区域内的所述样品的去层；和

使用来自所述样品的电耦合的两个或更多导电层的测量体电流来监测所述去层。