[发明专利]金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，包含水、螯合剂、碱剂和锌盐，

所述锌盐选自醋酸锌、硝酸锌、碳酸锌、硫酸锌、草酸锌和它们的组合。

2.根据权利要求1所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述金属残渣去除用洗涤剂组合物适用于形成有含硅下部膜的基板。

3.根据权利要求2所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述含硅下部膜的材质选自非晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅及它们的组合。

4.根据权利要求2所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述金属残渣去除用洗涤剂组合物对所述含硅下部膜的蚀刻速度为以下。

5.根据权利要求1所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述碱剂选自碱金属氢氧化物、烷基氢氧化铵及它们的组合。

6.根据权利要求1所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述螯合剂选自多元羧酸、多元膦酸及它们的盐。

7.根据权利要求6所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸、丁二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、亚氨基二乙酸、N-(2-羟乙基)乙二胺三乙酸、乙二醇-双(β-氨基乙基醚)-N,N,N',N'-四乙酸、1,2-双(邻氨基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸、腈三乙酸、环己烷-1,2-二胺四乙酸、1,3-二氨基-2-羟基丙烷-N,N,N',N'-四乙酸、六亚甲基二胺-N,N,N',N'-四乙酸、羟基乙叉二膦酸、次氮基三(亚甲基膦酸)、乙二胺四(亚甲基膦酸)、氨基(三亚甲基膦酸)和二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)及它们的盐。

8.根据权利要求1所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，相对于所述金属残渣去除用洗涤剂组合物总重量，包含所述螯合剂0.01至10重量％、所述碱剂0.1至15重量％、所述锌盐0.01至5重量％、以及余量的水。

9.根据权利要求1所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，所述用于去除金属残渣的洗涤剂组合物进一步包含选自极性有机溶剂、表面活性剂及它们的组合中的添加剂。

10.一种半导体元件的制造方法，其中，包括：

在含硅下部膜上形成绝缘层后洗涤的步骤；

选择性地蚀刻所述绝缘层而形成露出所述含硅下部膜的表面的接触孔，并洗涤在所述接触孔中露出的所述含硅下部膜表面的污染物的步骤；以及

将所述接触孔用导电层填充而形成连接触点后进行洗涤的步骤，

所述各步骤的洗涤步骤中用选自权利要求1～9中任一项所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物进行处理。

11.根据权利要求10所述的半导体元件的制造方法，其中，所述含硅下部膜的材质选自非晶硅、多晶硅、氧化硅、氮化硅及它们的组合。

12.一种半导体元件的制造方法，其中，包括：

在基板上形成非晶硅层的步骤，

用选自权利要求1～9中任一项所述的金属残渣去除用洗涤剂组合物对所述非晶硅层进行处理而洗涤表面的污染物的步骤，

选择性地使所述非晶硅层结晶化而形成多晶硅层的步骤，以及

在所述多晶硅层上形成绝缘层和金属层的步骤。