[发明专利]金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法

说明书

本发明涉及金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法，根据本发明，不仅对于金属残渣，而且对于洗涤对象的表面污染物也可以提供优异的清洁力，同时对于洗涤对象不会引起损伤而提高后续工序收率，从而可以用非常经济的方法提供可靠性高的半导体元件。

技术领域

本发明涉及金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法。

背景技术

近年来，随着社会正式进入信息化时代，用于处理和显示大量信息的显示(display)领域迅速发展，顺应于此，开发了各种半导体元件并引起了关注。作为像这样的半导体元件的一个例子，可以举出液晶显示装置(Liquid Crystal Display device：LCD)、等离子显示装置(Plasma Display Panel device：PDP)、场发射显示装置(Field EmissionDisplay device：FED)、电致发光显示装置(Electroluminescence Display device：ELD)、有机发光元件(organic light emitting diodes：OLED)等。此外，它们以薄型化、轻量化、低耗电化等优异的性能，迅速取代基本的显像管。由此，对高分辨率和低能耗显示面板的需求实际上持续增加。

在这样的背景下，对低温多晶硅材料也正在进行了大量研究。这样的材料能够利用非晶硅在比较低的反应温度下形成，并且具有高的电子迁移率，从而可以提供高分辨率和低能耗的显示面板。这样的低温多晶硅可以通过固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)和准分子激光退火(ELA)等方法而制造。但是，制造低温多晶硅时，在蒸镀、蚀刻等工序中发生在基板表面附着各种有机物或无机物等污染物的情况，特别是，会发生留下难以去除的金属残渣等问题。在以附着有这样的污染物或留有金属残渣等的状态处理后续的工序时，会发生膜的针孔或坑、布线的断线或桥接等，会引起产品制造收率降低的问题。

因此，在上述的工序中，用于去除在基板表面发生的污染物的洗涤工序在各工序间进行，为此对洗涤剂组合物已经进行了大量的研究。与此相关，在对比文件1和对比文件2中公开了半导体器件用基板的洗涤剂组合物。但是，在这些专利文献中公开的半导体器件用基板的洗涤剂组合物具有在洗涤工时对金属残渣等污染物去除力不充分的缺点。

由此，仍然需要不仅在工序中有效地去除在基板表面生产的金属残渣，而且不会对洗涤对象造成损伤的洗涤剂组合物。

【现有技术文献】

【专利文献】

(专利文献0001)KR10-0503231 B1

(专利文献0002)KR10-1166002 B1

发明内容

本发明的目的在于提供可以有效地去除金属残渣的金属残渣去除用洗涤剂组合物。

详细地，提供不仅去除在洗涤对象表面存在的金属残渣物，还可以有效地去除污染物的金属残渣用洗涤剂组合物。

详细地，提供不会引起洗涤对象表面的损伤，同时在洗涤对象表面上不会留下残留物的金属残渣去除用洗涤剂组合物。

本发明的另一目的在于提供包括利用上述金属残渣去除用洗涤剂组合物的洗涤工序的半导体元件的制造方法。

详细地，提供通过有效地去除洗涤对象表面的金属残渣和污染物而以高的工序收率提供优异性能的半导体元件的半导体元件的制造方法。

为了解决上述课题，在本发明中提供一种金属残渣去除用洗涤剂组合物，其中，包含：水、螯合剂、碱剂和锌盐，该锌盐为选自醋酸锌、硝酸锌、碳酸锌、硫酸锌和草酸锌等中的一种或两种以上。

根据本发明的一实施例的金属残渣去除用洗涤剂组合物可以适用于形成有含硅下部膜的基板。