[发明专利]一种在电路板的铜层上去除干膜的方法

说明书

本发明公开了一种在电路板的铜层上去除干膜的方法，涉及电路板制造领域。该方法的步骤包括：提供电路板基材，电路板基材的表面上设置有铜层；在铜层上形成具有多个开口的干膜，每个开口内暴露的铜层区域为镀金区域；在每个镀金区域内形成金属层；将电路板在50～60℃的温度下，在有机去膜液中进行浸泡去膜，有机去膜液包括氢氧化钠、界面活性剂、护铜剂和再生剂；浸泡完成后，铜层的铜面氧化率为0.13％～1.25％。

技术领域

本发明涉及电路板制造领域，具体涉及一种在电路板的铜层上去除干膜的方法。

背景技术

PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)是依电路设计将连接电路零件的电子布线制成图形，再经过特定的机械加工、处理等过程，于绝缘体上使电子导体重现所构成之电路板，主要目的是借由电路板上的电路让配置于电路板上的电子零件发挥功能。

随著电子产品的高性能化，PCB的表面处理会选用性能优良的镀金或化金。为了保护PCB的基材，在镀金或化金之前，通常会使用干膜覆盖电路板基材的表面，并选择性地暴露出需镀金或化金的铜表面。在镀金或化金之后，进行去膜。目前一般采用NaOH(氢氧化钠)作为去膜液进行浸泡电路板去膜(一般浸泡4～5次)。但是，采用NaOH进行去膜时，存在以下缺陷：

NaOH会与PCB的铜面发生反应生产Cu(O H)₂，即会造成铜面氧化；进一步，NaOH去除干膜所需的总时长较长(浸泡4次的总时长一般为680s)，长时间的去膜时间以及NaOH自身的特性都会加快铜面的氧化速度和氧化面积，这严重降低了整个PCB的质量。

发明内容

针对现有技术中存在的缺陷，本发明解决的技术问题为：如何在显著缩短去除干膜所需的时长的同时，避免电路板的铜面被过度氧化。

为达到以上目的，本发明提供的在电路板的铜层上去除干膜的方法，包括以下步骤：

S1：提供电路板基材，电路板基材的表面上设置有铜层；

S2：在铜层上形成具有多个开口的干膜，每个开口内暴露的铜层区域为镀金区域；

S3：在每个镀金区域内形成金属层；

S4：将电路板在50～60℃的温度下，在有机去膜液中进行浸泡去膜，浸泡次数为4～5次，每次浸泡时长为83～102s；有机去膜液包括浓度为4.2～7wt％的氢氧化钠、浓度为0.9～1.5wt％的界面活性剂、浓度为0.6～1.0wt％的护铜剂、以及浓度为0.3～0.5wt％的再生剂，氢氧化钠、界面活性剂、护铜剂和再生剂的总浓度为6～10wt％；浸泡完成后，铜层的铜面氧化率为0.13％～1.25％。

在上述技术方案的基础上，S2的具体流程包括：使用微影制程形成图案化干膜，将铜层在135℃的温度下烘烤30分钟后进行烘烤处理后，通过热压轮在铜层表面贴上干膜。

在上述技术方案的基础上，S3中所述金属层包括含镍层以及位于含镍层上的金层。

在上述技术方案的基础上，S4的具体流程包括：将电路板在55℃的温度下，在有机去膜液中浸泡，浸泡次数为4次；浸泡时长依次为90s、93s、96s、99s，有机去膜液包括浓度为5.6wt％的氢氧化钠、浓度为1.2wt％的界面活性剂、浓度为0.8wt％的护铜剂、以及浓度为0.4wt％的再生剂，浸泡完成后，铜面氧化率为0.97％。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

本发明通过自主研发的有机去膜液与对应的参数配合，经测试和对比得出，与现有技术中平均去膜时长为545s、浸泡9分钟后会发生严重的铜面氧化(铜面氧化率为35％)的去膜方式相比，采用本发明的方法去除电路板干膜所需的平均时长仅为341s，而且浸泡10分钟才会发生轻微的铜面氧化(铜面氧化率为0.13％)。