[发明专利]存储器及其形成方法、控制方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，所述有源区内具有至少一存取晶体管；

多条位线，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；

磁性隧道结，一端电连接一条所述位线、另一端同时电连接两个所述存取晶体管，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：

导电接触垫，位于所述衬底上方，所述导电接触垫的一端电连接所述磁性隧道结、另一端同时电连接两个所述存取晶体管的源极。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿所述第二方向排列且相邻的两个所述有源区内；或者，

与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿第三方向排列且相邻的两个所述有源区内，所述第三方向相对于所述第一方向倾斜所述预设角度。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，每一所述有源区内具有分布于所述有源区相对两端的两个所述存取晶体管；

与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于两个相邻的所述有源区相互靠近的端部。

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，一个所述有源区与两条相邻的所述字线交叠；

位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管分别与两条所述字线对应。

6.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，还包括：

源极线，沿所述第一方向延伸，且一个所述有源区与一条所述源极线交叠；位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管的漏极均与同一条所述源极线电连接。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述源极线呈弯曲状，且所述源极线在拐角处与所述有源区内的所述存取晶体管电连接。

8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述预设角度大于30°且小于90°。

9.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成衬底，所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，所述有源区内具有至少一存取晶体管；

形成磁性隧道结于所述衬底之上，所述磁性隧道结的一端同时电连接两个所述存取晶体管，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内；

形成多条沿第二方向延伸的位线，所述磁性隧道结的另一端电连接所述位线，所述第二方向与所述第一方向垂直。

10.根据权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成磁性隧道结于所述衬底之上的具体步骤包括：

形成导电接触垫于所述衬底上方，所述导电接触垫同时电连接两个所述存取晶体管的源极；

形成磁性隧道结于所述导电接触垫上方，所述磁性隧道结与所述导电接触垫电连接。

11.根据权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿所述第二方向排列且相邻的两个所述有源区内；或者，

与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿第三方向排列且相邻的两个所述有源区内，所述第三方向相对于所述第一方向倾斜所述预设角度。

12.根据权利要求11所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成衬底的具体步骤包括：

提供半导体基底；

于所述半导体基底内形成呈阵列排布的多个有源区、多条沿第一方向延伸的字线、以及位于每一个所述有源区内的两个存取晶体管，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，且两个所述存取晶体管分布于所述有源区的相对两端。