[发明专利]存储器及其形成方法、控制方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法、控制方法。所述存储器包括：衬底，所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，所述有源区内具有至少一存取晶体管；多条位线，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；磁性隧道结，一端电连接一条所述位线、另一端同时电连接两个所述存取晶体管，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内。本发明既保证了对存储器进行编程时所需的大驱动电流，同时又提高了存储单元的存储密度，提高了存储器的综合性能，从而增强磁性存储器的产品竞争力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法、控制方法。

背景技术

磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MARM)是基于硅基互补氧化物半导体(CMOS)与磁性隧道结(Megnetic Tuning Junction，MTJ)技术的集成，是一种非易失性的存储器，它拥有静态随机存储器的高速读写能力、以及动态随机存储器的高集成度。所述磁性隧道结通常包括固定层、隧穿层和自由层。在磁性随机存储器正常工作时，自由层的磁化方向可以改变，而固定层的磁化方向保持不变。磁性随机存储器的电阻与自由层和固定层的相对磁化方向有关。当自由层的磁化方向相对于固定层的磁化方向发生改变时，磁性随机存储器的电阻值相应改变，对应于不同的存储信息。

但是，在现有的磁性随机存储器中，由于存储单元的排布方式以及磁性隧道结与晶体管的连接方式的限制，制约了磁性随机存储器综合性能的进一步提高，从而限制了磁性随机存储器的广泛应用。

因此，如何改善存储器的结构，提升存储器的综合性能，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种存储器及其形成方法、控制方法，用于解决现有的存储器综合性能有待进一步提高的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器，包括：

衬底，所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线，所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度，所述有源区内具有至少一存取晶体管；

多条位线，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸；

磁性隧道结，一端电连接一条所述位线、另一端同时电连接两个所述存取晶体管，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内。

可选的，还包括：

导电接触垫，位于所述衬底上方，所述导电接触垫的一端电连接所述磁性隧道结、另一端同时电连接两个所述存取晶体管的源极。

可选的，与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿所述第二方向排列且相邻的两个所述有源区内；或者，

与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿第三方向排列且相邻的两个所述有源区内，所述第三方向相对于所述第一方向倾斜所述预设角度。

可选的，每一所述有源区内具有分布于所述有源区相对两端的两个所述存取晶体管；

与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于两个相邻的所述有源区相互靠近的端部。

可选的，一个所述有源区与两条相邻的所述字线交叠；

位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管分别与两条所述字线对应。

可选的，还包括：

源极线，沿所述第一方向延伸，且一个所述有源区与一条所述源极线交叠；

位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管的漏极均与同一条所述源极线电连接。