[发明专利]一种薄膜制备设备及方法

权利要求书

1.一种薄膜制备设备，包括：腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；所述腔体和所述盖板密封偶接；所述衬底支撑装置固定于所述腔体底部，所述衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；所述给气装置偶接于所述盖板上且与所述衬底支撑装置彼此相对，所述给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，其特征在于，所述孔板调整装置是由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成的，所述气体筛板固定于所述气体混合腔中。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述给气装置偶接于所述盖板上具体为：

所述给气装置自靠近所述衬底支撑装置的偶接槽向远离所述衬底支撑装置的偶接槽偶接。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述腔体内包括至少两个工艺站点。

4.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括：

根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板；

将所述晶圆置于所述反应腔体内，所述晶圆与所述孔板调整装置平行相对；

利用所述调整后的所述可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板，包括：

根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板喷气孔孔径；

和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔深；

和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔分布。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述可替换孔板包括多个喷气孔，调整后的至少两个喷气孔的孔径和/或孔深不相同。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述多个喷气孔均匀分布于所述可替换孔板上。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述调整后的可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜，具体为：

向所述反应腔体内通入反应气体和惰性气体；

对所述反应气体和所述惰性气体进行射频处理；

射频处理后的气体通过所述调整后的可替换孔板的喷气孔，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。

9.根据权利要求4-8任意一项所述的方法，其特征在于，所述反应腔体包括衬底支撑装置，所述衬底支撑装置表面形成有至少3个可移除支件，所述可移除支件与衬底相接触；

则，所述将所述晶圆置于所述反应腔体内，具体为：

将所述晶圆置于所述衬底支撑装置表面的所述可移除支件上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述可移除支件为陶瓷或绝缘材料。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，至少两个所述可移除支件具有不同的形貌。

12.根据权利要求4-8任意一项所述的方法，其特征在于，在所述将所述晶圆置于所述反应腔体内之后，还包括：

对所述晶圆进行预热。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行预热，具体为：

采用Ar、He、C₃H₆以及C₂H₂中的至少一种气体对所述晶圆进行预热，预热时间不少于10s。

14.根据权利要求5-8任意一项所述的方法，其特征在于，所述薄膜为无定型碳膜。

15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述反应气体为第一不饱和烃或第二不饱和烃中的至少一种，所述惰性气体为氦气或氩气。