[发明专利]一种薄膜制备设备及方法

说明书

本发明提供一种薄膜制备设备及方法，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；腔体和盖板密封偶接，衬底支撑装置固定于腔体底部，衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；给气装置偶接于盖板上且与衬底支撑装置彼此相对，给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，孔板调整装置由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成，气体筛板固定于气体混合腔体内。这样，通过固定的气体筛板和可替换的孔板调节气体混合腔内的气体流向晶圆的气体流量，进而在晶圆上对应不同喷气孔的位置形成不同厚度的薄膜，弥补晶圆表面薄膜厚度较薄位置的薄膜，调整晶圆表面薄膜的厚度分布，提高晶圆表面薄膜的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种薄膜制备设备及方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，晶圆的面积不断增大，提高晶圆表面薄膜的均匀性的难度较大，而且晶圆表面薄膜的均匀性对晶圆良率十分关键。

目前，在晶圆上形成薄膜的方法主要是，将晶圆置于反应腔体内，向反应腔体内通入反应气体，以在晶圆表面形成薄膜。

但是，现有的方法在晶圆表面形成的无定形碳膜的均匀性较差，导致器件的稳定性较差。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜制备设备及方法，提高晶圆表面薄膜的均匀性。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种薄膜制备设备，包括腔体、盖板、给气装置和衬底支撑装置；所述腔体和所述盖板密封偶接；所述衬底支撑装置固定于所述腔体底部，所述衬底支撑装置上表面有用于支撑衬底的可移除支件；所述给气装置偶接于所述盖板上且与所述衬底支撑装置彼此相对，所述给气装置包括气体混合腔和孔板调整装置，所述孔板调整装置是由固定的气体筛板和可替换的孔板配合构成的，所述气体筛板固定于所述气体混合腔中。

可选的，所述给气装置偶接于所述盖板上具体为：

所述给气装置自靠近所述衬底支撑装置的偶接槽向远离所述衬底支撑装置的偶接槽偶接。

可选的，所述腔体内包括至少两个工艺站点。

一种薄膜制备方法，包括：

根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板；

将所述晶圆置于所述反应腔体内，所述晶圆与所述孔板调整装置平行相对；

利用所述调整后的所述可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜。

可选的，所述根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整反应腔体内孔板调整装置中的可替换孔板，包括：

根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板喷气孔孔径；

和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置中可替换孔板的喷气孔孔深；

和/或，根据晶圆表面薄膜的厚度分布，调整所述反应腔体内孔板调整装置上可替换孔板的喷气孔分布。

可选的，所述可替换孔板包括多个喷气孔，调整后的至少两个喷气孔的孔径和/或孔深不相同。

可选的，所述多个喷气孔均匀分布于所述可替换孔板上。

可选的，所述利用所述调整后的可替换孔板，调整所述晶圆表面薄膜厚度，以在晶圆表面形成厚度均匀的薄膜，具体为：

向所述反应腔体内通入反应气体和惰性气体；

对所述反应气体和所述惰性气体进行射频处理；