[发明专利]一种薄膜制备方法及设备

权利要求书

1.一种薄膜制备设备，其特征在于，包括：

位于反应腔室中的衬底支撑件；

位于所述衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱；在所述绝缘柱置入所述凹槽中时，所述绝缘柱的上表面突出所述衬底支撑件的上表面；所述绝缘柱为多个，用于固定衬底；所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，所述待测膜层为预先在所述反应腔室中形成在测试衬底表面上的膜层。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述绝缘柱突出所述衬底支撑件的高度范围为0.01～0.5mm。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述绝缘柱的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述衬底支撑件的材料为铝。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的设备，其特征在于，还包括：

所述衬底支撑件外围的绝缘环。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述衬底支撑件沿径向包括内部结构和外部结构，所述内部结构和所述外部结构为一体结构，且所述内部结构的上表面高于所述外部结构的上表面；所述绝缘环位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述绝缘环沿径向分为突出部分和本体部分，所述突出部分位于靠近所述衬底支撑件的一侧的上部且突出本体部分之外，在所述绝缘环置于所述衬底支撑件外围时，所述突出部分位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构，所述绝缘环的本体部分环绕所述衬底支撑件的外部部分的侧壁。

7.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述衬底支撑件的内部结构的直径与所述衬底直径的比值范围为0.9～0.995，所述绝缘环的内径与所述衬底直径的比值范围为0.91～1.1。

8.一种薄膜制备方法，其特征在于，利用如权利要求1-7所述的薄膜制备设备，包括：

预先在测试衬底表面上形成待测膜层；所述待测膜层在反应腔室中形成；

利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度；

将确定出的高度对应的绝缘柱置于所述衬底支撑件的凹槽中，在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成的薄膜为碳膜，所述利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱的高度，包括：

对多个所述绝缘柱进行高度确定；对每个绝缘柱进行高度确定具体为：

若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率大于或等于第一预设折射率，和/或，消光系数大于或等于第一预设消光系数，则减小所述绝缘柱的高度；

若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率小于或等于第二预设折射率，和/或，消光系数小于或等于第二预设消光系数，则增加所述绝缘柱的高度。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积，包括：

向所述反应腔通入工艺气体和/或惰性气体，利用所述衬底支撑件对固定于所述绝缘柱上的衬底进行预设时间的加热处理；

对所述反应腔室中的气体进行射频处理，以在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预设时间范围为10～100s。