[发明专利]一种薄膜制备方法及设备

说明书

本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。

技术领域

本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种薄膜制备方法及设备。

背景技术

无定形碳膜在集成电路制造工艺中具有广泛的应用，例如可以作为硬掩模层，也可以作为深紫外光刻的抗反射层，因此，无定形碳膜层的制备也受到了广泛的关注。目前，可以通过热分解含烃化合物的方式得到无定形碳膜，然而现有技术中得到的碳膜，其折射率和消光系数往往不够均匀，膜层质量不高。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种薄膜制备方法及设备，提高碳膜的折射率和消光系数的均匀性，提高膜层质量。

为实现上述目的，本申请有如下技术方案：

本申请实施例提供了一种薄膜制备设备，包括：

位于反应腔室中的衬底支撑件；

位于所述衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱；在所述绝缘柱置入所述凹槽中时，所述绝缘柱的上表面突出所述衬底支撑件的上表面；所述绝缘柱为多个，用于固定衬底；所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，所述待测膜层为预先在所述反应腔室中形成在测试衬底表面上的膜层。

可选的，所述绝缘柱突出所述衬底支撑件的高度范围为0.01～0.5mm。

可选的，所述绝缘柱的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述衬底支撑件的材料为铝。

可选的，所述薄膜制备设备还包括：

所述衬底支撑件外围的绝缘环。

可选的，所述衬底支撑件沿径向包括内部结构和外部结构，所述内部结构和所述外部结构为一体结构，且所述内部结构的上表面高于所述外部结构的上表面；所述绝缘环位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构。

可选的，绝缘环沿径向分为突出部分和本体部分，所述突出部分位于靠近所述衬底支撑件的一侧的上部且突出本体部分之外，在所述绝缘环置于所述衬底支撑件外围时，所述突出部分位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构，所述绝缘环的本体部分环绕所述衬底支撑件的外部部分的侧壁。

可选的，所述衬底支撑件的内部结构的直径与所述衬底直径的比值范围为0.9～0.995，所述绝缘环的内径与所述衬底直径的比值范围为0.91～1.1。

可选的，所述绝缘环的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅。

本申请实施例还提供了一种薄膜制备方法，利用所述的薄膜制备设备，包括：

预先在测试衬底表面上形成待测膜层；所述待测膜层在反应腔室中形成；

利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度；

将确定出的高度对应的绝缘柱置于所述衬底支撑件的凹槽中，在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。