[发明专利]具有带有凸起延伸区域的晶体管的设备和形成此类晶体管的方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

电压节点；

负载节点；以及

晶体管，所述晶体管连接于所述电压节点与所述负载节点之间，所述晶体管包括：

电介质，所述电介质覆盖具有第一导电性类型的半导体；

导体，所述导体覆盖所述电介质；

第一延伸区域基底，所述第一延伸区域基底形成于所述半导体中并延伸到所述电介质的一个边缘之外，其中所述第一延伸区域基底具有与所述第一导电性类型不同的第二导电性类型；

第二延伸区域基底，所述第二延伸区域基底形成于所述半导体中并延伸到所述电介质的相反边缘之外，其中所述第二延伸区域基底具有所述第二导电性类型；

第一延伸区域竖件，所述第一延伸区域竖件形成为覆盖所述第一延伸区域基底并且具有所述第二导电性类型；

第二延伸区域竖件，所述第二延伸区域竖件形成为覆盖所述第二延伸区域基底并且具有所述第二导电性类型；

第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域形成于所述第一延伸区域竖件中并连接到所述电压节点，其中所述第一源极/漏极区域具有所述第二导电性类型并且具有比所述第一延伸区域竖件的导电性水平大的导电性水平；以及

第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极区域形成于所述第二延伸区域竖件中并连接到所述负载节点，其中所述第二源极/漏极区域具有所述第二导电性类型并且具有比所述第二延伸区域竖件的导电性水平大的导电性水平。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体包括半导体材料，其中所述第一延伸区域基底包括所述半导体材料和掺杂剂物种，并且其中所述第一延伸区域竖件包括所述半导体材料和所述掺杂剂物种。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述半导体包括第一半导体材料，其中所述第一延伸区域基底包括所述第一半导体材料和掺杂剂物种，并且其中所述第一延伸区域竖件包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料和所述掺杂剂物种。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一延伸区域竖件的上表面和所述第二延伸区域竖件的上表面位于所述导体的上表面上方。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述晶体管为第一晶体管，所述负载节点为第一负载节点，所述导体为第一导体，并且所述电介质为第一电介质，所述设备进一步包括：

第二负载节点；以及

第二晶体管，所述第二晶体管连接于所述电压节点与所述第二负载节点之间，所述第二晶体管包括：

第二电介质，所述第二电介质覆盖所述半导体；

第二导体，所述第二导体覆盖所述第二电介质；

第三延伸区域基底，所述第三延伸区域基底形成于所述半导体中并延伸到所述第二电介质的一个边缘之外，其中所述第三延伸区域基底具有所述第二导电性类型；

第三延伸区域竖件，所述第三延伸区域竖件形成为覆盖所述第三延伸区域基底并且具有所述第二导电性类型；以及

第三源极/漏极区域，所述第三源极/漏极区域形成于所述第三延伸区域竖件中并连接到所述第二负载节点，其中所述第三源极/漏极区域具有所述第二导电性类型并且具有比所述第三延伸区域竖件的导电性水平大的导电性水平；

其中所述第一延伸区域基底延伸到所述第二电介质的相反边缘之外。